Энциклопедия
УЧЁНЫЕ РОССИИ
УЧЕНЫЕ СТРАН СНГ И БЛИЖНЕГО ЗАРУБЕЖЬЯ
Биографические данные и фото 14382 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Васильев Владислав Юрьевич

Васильев Владислав Юрьевич

Учёная степень: Доктор химических наук

Научное направление: Химические науки

Регион: Новосибирская область

Индекс цитирования научной биографии: 2 (по количеству внешних ссылок)

Рейтинг: 39 (по количеству просмотров анкеты за последний месяц)

СЕРТИФИКАТ участника энциклопедии "Ученые России"

Род. 8 октября 1953 года в г. Саратов, Российская Федерация.

В августе 1976 года после окончания отделения химии факультета Естественных наук Новосибирского Государственного университета поступил на работу в качестве инженера в ОКБ при Новосибирском заводе полупроводниковых приборов (ОКБ при НЗПП) Работал в качестве ведущего инженера, научного руководителя НИР и главного конструктора ОКР, начальника сектора, начальника отдела, главного инженера научно-производственного комплекса. В настоящее время работает в должности советника генерального директора ОАО «НЗПП с ОКБ» по технологическим вопросам. Основная область интересов: технология изделий микроэлектроники и микроэлектромеханических систем, тонкопленочные покрытия, осаждение из газовой фазы, оборудование и методология получения тонких пленок, методы анализа тонкопленочных покрытий, применение тонких пленок и др.

В 1996 приглашен на работу в отдел Research and Development предприятия ”Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.”, Сингапур (в настоящее время входит в состав предприятия "Global Foundries").

В 2002-2005 годах работал ведущим научным сотрудником Института физики полупроводников Российской Академии наук (ИФП СО РАН). С 2003 года по настоящее время ведет занятия в качестве профессора на кафедре Полупроводниковых приборов и микроэлектроники Новосибирского Государственного технического университета (НГТУ); а с 2005 года также на кафедре Технической электроники Сибирского Государственного университета телекоммуникаций и информатики (Новосибирск).

С 2005 года работает заместителем Генерального директора ООО «СибИС» (Новосибирск), первого в восточной части России дизайн-центра проектирования субмикронных интегральных микросхем и устройств на их основе. Является научным руководителем ряда научно-исследовательских работ, выполняемых по государственным контрактам с Министерством образования и науки РФ.

В 2006-2008 годах в рамках государственной программы Республики Корея “Brain Pool” был приглашен на должность приглашенного профессора в Корейский Политехнический университет, отделение Нано-оптической инженерии, для выполнения перспективного научно-технического проекта по разработке технологии осаждения сверхтонких слоев металлического рутения методами атомно-слоевого и импульсного осаждения из газовой фазы для субмикронных интегральных микросхем с проектно-технологическими нормами 60 - 40 нм.

В рамках области интересов является автором (соавтором) более 150 публикаций в отечественных и зарубежных научно-технических изданиях, в том числе в реферируемых журналах. Имеет 7 авторских свидетельств СССР и 2 патента России, 7 патентов США и 1 патент Республики Китай (Тайвань). Неоднократно выступал на отечественных и международных научных конференциях, в том числе с приглашенными докладами.

Сведения о диссертациях:

в 1990 защитил кандидатскую диссертацию по специальности «физическая химия», «Синтез слоев нитрида и диоксида кремния осаждением из газовой фазы на основе хлорпроизводных моносилана», СОАН СССР, Новосибирск;

в 2002 защитил докторскую диссертацию по специальности «химия твердого тела», «Процессы химического осаждения из газовой фазы и свойства фосфор- и боросиликатных стеклообразных слоев», СО РАН, Новосибирск.

Член общества “The Electrochemical Society”.

Член общества “American Nano Society”.

Биография включена в ”Marquis Who’s Who in Science and Engineering” США.

Подробная информация д.х.н. о В.Ю. Васильеве приведена на сайте научной библиотеки НГТУ: http://library.nstu.ru/resource/elibrary/persjnalii/dostup_vasiliev/

Научные публикации:

Избранные, за последние 15 лет, в обратном порядке, монографии и реферируемые журналы:

Vasilyev V.Yu. Borophosphosilicate Glass Films in Electronics / Nova Science Publishers, Inc., 2013, p.p.1-243. ISBN: 978-1-62417-959-4 (hardcover). ISBN: 978-1-62618-034-5 (ebook).

Открытый доступ к главам книги на сайте:

https://www.novapublishers.com/catalog/product_info.php?products_id=39599

Vasilyev V.Yu. Application of Nitrous Oxide for Chemical Vapor Deposition of Thin Films Used in Integrated Circuit Technology // In “Advances in Chemistry Research”, Vol.19, Ed. J.C. Taylor / Nova Science Publishers Inc., 2013, p.p.55-84. 2013. ISBN: 978-1-62618-236-3 (hardcover).

Гридчин В.А., Чебанов М.А., Васильев В.Ю. Влияние термических деформаций на температурную стабильность характеристик кремниевых резонансных сенсоров давления / Нано- и микросистемная техника, 2013, №3, с.41-44.

Васильев В.Ю., Козляев Ю.Д., Семенов Ю.Е., Антонов А.А., Пичугин И.В. Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей. Часть 4. Преобразователь постоянного напряжения с формированием тока в звене инвертора. / Вестник СибГУТИ. 2013. Вып.4. С.35-46.

Васильев В.Ю., Марков А.В., Антонов А.А., Пичугин И.В. Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей. Часть 3. Разработка макета силового модуля источника питания. / Вестник СибГУТИ. 2013. Вып.2. С.75-85.

Васильев В.Ю., Антонов А.А., Пичугин И.В., Гордиенко С.М.. Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей. Часть 2. Анализ схемотехнических решений источников питания модульного типа / Вестник СибГУТИ. 2013. Вып.1, с.75-84.

Васильев В.Ю., Козляев Ю.Д., Пичугин И.В., Семенов Ю.Е., Гордиенко С.М., Антонов А.А. Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей. Часть 1. Анализ информационных материалов и образцов источников питания / Вестник СибГУТИ. 2012. Вып.3. С.85-96.

Васильев В.Ю. Низкотемпературное осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении слоев диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральных микросхемах. Часть 1. Обзор состояния, направлений и задач исследования // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 2013, Вып.1 (230), с.76-87.

Васильев В.Ю., Пичугин И.В., Козляев Ю.Д., Семенов Ю.Е., Гордиенко С.М., Фомин В.В. Источник вторичного электропитания для радиоэлектронной аппаратуры, выполненный по технологии «мягкой коммутации» ключей / Успехи современной радиоэлектроники. 2012. № 11, с.63-70.

Гридчин В.А., Чебанов М. А., Васильев В.Ю. Моделирование влияния конструктивно-технологических параметров на характеристики кремниевых резонансных сенсоров давления / Известия вузов. Электроника, 2012, №2 (94), с.61-66.

Хабаров П.С., Шлемин Д.Л., Лысь В.Д., Лебедев Ю.П., Васильев В.Ю., Попов Ю.Н. Проектирование сложно-функциональных блоков смешанного сигнала на основе субмикронной технологии на примере микросхемы видеодекодера. Часть 2. Верификация микросхемы «на кремнии» / Вестник СибГУТИ. 2011. Вып. 3. С. 3-13.

Хабаров П.С., Шлемин Д.Л., Лысь В.Д., Лебедев Ю.П., Васильев В.Ю., Попов Ю.Н. Проектирование сложно-функциональных блоков смешанного сигнала на основе субмикронной технологии на примере микросхемы видеодекодера. Часть 1. Конструкция и топология микросхемы / Вестник СибГУТИ. 2011. № 2. С. 23 – 34.

Хабаров П.С., Шлемин Д.Л., Лысь В.Д., Лебедев Ю.П., Васильев В.Ю., Попов Ю.Н., Чепин Ю.Н. Проектирование сложно-функционального блока видеодекодера для субмикронных интегральных микросхем типа система на кристалле / Успехи современной радиоэлектроники. 2011. № 7. С. 54 – 59.

Vasilyev V. Yu. Low-Temperature Thermally-Activated Pulsed Chemical Vapor Deposition of Ruthenium Thin Films Using Carbonyl-Diene Precursor / In “Ruthenium: Properties, Production and Applications”, Ed. David B. Watson // Nova Science Publishers Inc., 2011, p.p.2-85. ISBN: 978-1-61761-617-4 (ebook), ISBN: 978-1-61761-550-4 (hardcover).

Васильев В.Ю. Низкотемпературное импульсное газофазное осаждение тонких слоев металлического рутения для микро- и наноэлектроники. Часть 6. Состав слоев рутения // Микроэлектроника, 2013, Т.42, №1, с.62-75.

Васильев В.Ю. Низкотемпературное импульсное газофазное осаждение тонких слоев металлического рутения для микро- и наноэлектроники. Часть 5. Взаимосвязь закономерностей роста, структуры и свойств слоев рутения // Микроэлектроника, 2011, Т.40, №6, с.441-452.

Васильев В.Ю. Низкотемпературное импульсное газофазное осаждение тонких слоев металлического рутения для микро- и наноэлектроники. Часть 4. Структура и основные свойства слоев рутения // Микроэлектроника, 2011, Т.40, №4, с.300-308.

Васильев В.Ю. Низкотемпературное импульсное газофазное осаждение тонких слоев металлического рутения для микро- и наноэлектроники. Часть 3. Нуклеационные явления при росте слоев рутения // Микроэлектроника, 2010, Т.39, №4, с.484-494.

Васильев В.Ю. Низкотемпературное импульсное газофазное осаждение тонких слоев металлического рутения для микро- и наноэлектроники. Часть 2. Кинетика роста слоев рутения // Микроэлектроника, 2010, Т.39, №3, с.219-229.

Васильев В.Ю. Низкотемпературное импульсное газофазное осаждение тонких слоев металлического рутения для микро- и наноэлектроники. Часть 1. Оборудование и методология импульсного осаждения // Микроэлектроника, 2010, Т.39, №1, с.28-37.

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 5. Схемы роста и корреляция закономерностей осаждения и свойств тонких слоев / Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2012. Вып. 2 (229). С. 54-69.

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 4. Обобщенная методология анализа закономерностей процессов роста тонких слоев / Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2012. Вып. 1 (228). С. 3-18.

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0.35-0.18 мкм. Часть 3. Закономерности роста слоев в промышленных реакторах / Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2011. Вып. 1(227). С. 24-36.

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоев из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0.35 – 0.18 мкм. Часть 2. Аппаратура и методология осаждения слоев // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 2011, вып. 1 (226) с.51-66.

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоев из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0.35 – 0.18 мкм. Часть 1. Основные тенденции развития методов // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 2010, вып. 1 (224), с.67-82.

Vasilyev V., Mogilnikov K.P., Song Y.W. Properties of thermally annealed ruthenium thin films grown on seed layers in low temperature selective deposition region // Current Applied Physics, 2009, v.9, е148-е151.

Vasilyev V., Mogilnikov K.P., Song Y.W. Surface selective growth of ruthenium films under low temperature pulsed CVD conditions // Electrochem. & Solid State Letters, 2008, v.11, N12, D89-D93.

Vasilyev V., Mogilnikov K.P., Song Y.W. Nucleation and growth of pulsed CVD Ruthenium films from tricarbonyl[eta4-cyclohexa-1,3-diene]ruthenium // J. Electrochem. Soc., 2008, v.115, N12, p.p. D763-D770.

Vasilyev V., Chung S.-H., Song Y.W. Quantifying ALD technology for High Aspect Ratio Structures // Solid State Technology, 2007, V.50, N8, p.p.53, 54, 56.

Васильев В.Ю., Репинский С.М. Осаждение диэлектрических слоев из газовой фазы // Успехи химии, 2005, Т.74, №5, С.452-483.

Васильев В.Ю. Применение процессов химического осаждения из газовой фазы в технологии изготовления микросхем с технологическими нормами 0.35-0.18 мкм // Электронная промышленность, 2005, Вып. 2, С.20-32.

Васильев В.Ю. Тонкие слои борофосфоросиликатного стекла в технологии кремниевой микроэлектроники. Часть 2. Строение стекол и их применение в технологии // Микроэлектроника, 2004, Т.34, №2, С.83-97.

Васильев В.Ю. Тонкие слои борофосфоросиликатного стекла в технологии кремниевой микроэлектроники. Часть 1. Осаждение из газовой фазы и свойства слоев стекла // Микроэлектроника, 2004, Т.33, №5, С.334-351.

Vasilev V.Yu. Relationships between gas-phase film deposition, properties and structures of thin SiO2 and BPSG films // J. Electrochem. Soc., 2003, V.150, N12, p.p.F211-F218.

Васильев В.Ю. Взаимосвязь параметров процессов осаждения из газовой фазы, свойств и строения тонких слоев борофосфоросиликатного стекла, используемых в технологии кремниевых интегральных микросхем // Физика и химия стекла, 2003, Т.29, №5, С.640-653.

Васильев В.Ю. Процессы релаксации тонких слоев борофосфоросиликатных стекол при термически активированном вязком течении на ступенчатом рельефе интегральных микросхем. Часть 1. Обобщение результатов исследований для изотермических и импульсных режимов нагрева слоев стекол // Микроэлектроника, 2003, Т.32, №3, С.213-226.

Васильев В.Ю. Процессы релаксации тонких слоев борофосфоросиликатных стекол при термически активированном вязком течении на ступенчатом рельефе интегральных микросхем. Часть 2. Обобщенные параметры для характеристики процессов оплавления в ультрабольших интегральных микросхемах // Микроэлектроника, 2003, Т.32, №4, С.267-277.

Васильев В.Ю. Заполнение ультрамалых зазоров в интегральных микросхемах осажденными из газовой фазы тонкими диэлектрическими материалами на основе диоксида кремния // Микроэлектроника, 2002, Т.31, №4, С.224-230.

Vassiliev V.Yu., Sudijono J.L., and Cuthbertson A. Trends in Void-Free Pre-Metal CVD Dielectrics // Solid State Technology, 2001, V.44, N3, p.p.129-136.

Vassiliev V.Yu. Evolution of borophosphosilicate glass film defects // Intern. J. of Dielectrics for ULSI Multilevel Interconnection, 2000, V.1, N1, p.p.17-31.

Vassiliev V.Yu., Lin C., Fung D., Hsieh J., and Sudijono J.L. Properties and gap-fill capability of high-density plasma chemically vapor deposited phosphosilicate glass films for subquarter micrometer ULSI device technology // Electrochem. and Solid State Letters, 2000, V.3, N2, p.p.80-83.

Vassiliev V. Yu. Void-free pre-metal gap-fill capability of CVD films for subquater micron ULSI (Invited presentation/paper) // Proc. of 6th Int. Dielectric for ULSI Multilevel Interconnection Conf. (DUMIC), Santa Clara, USA, February 2000, p.p.121-132.

Vassiliev V.Yu. Introduction to Pre-Metal Dielectric Gap-Fill issues and Solutions for Sub-0.25 um ULSI Device Applications (Invited presentation) // http://www. semiconbay.com, posted 9 May, 2000.

Васильев В.Ю. О природе дефектов и механизме их формирования в тонких слоях борофосфоросиликатного стекла, получаемых осаждением из газовой фазы в процессе получения интегральных микросхем // Физика и химия стекла, 2000, Т.26, №1. C.130-145.

Васильев В.Ю. Свойства осажденных из газовой фазы слоев борофосфоросиликатного стекла, используемых в технологии кремниевых интегральных микросхем // Физика и химия стекла, 2000, Т.26, № 1, C.116-129.

Васильев В.Ю. Тенденции развития технологии и аппаратуры химического осаждения тонких диэлектрических слоев на основе диоксида кремния в микроэлектронике. Часть 1. Материалы, методы осаждения, аппаратура // Микроэлектроника, 1999, Т.28, №3, C.175-182.

Васильев В.Ю. Тенденции развития технологии и аппаратуры химического осаждения тонких диэлектрических слоев на основе диоксида кремния в микроэлектронике. Часть 2. Заполнение узких зазоров осажденным материалом // Микроэлектроника, 1999, Т.28, №3, C.183-192.

Vassiliev V.Yu., Zheng J.Z., Tang S.K., Lu W., Hua J., and Lin Y.S. Growth kinetics and deposition-related properties of subatmospheric-pressure chemically vapor deposited borophosphosilicate glass films // J. Electrochem. Soc., 1999, V. 146, N 8, p.p.3039-3051.

Васильев В.Ю. Закономерности роста слоёв борофосфорносиликатного стекла при химическом осаждении из газовой фазы // Журнал физической химии, 1999, Т.73, №7, C.1191-1198.

Васильев В.Ю. Взаимосвязь свойств слоёв борофосфорносиликатного стекла с условиями их роста при химическом осаждении из газовой фазы // Журнал физической химии, 1999, Т.73, №8, C.1351-1356.

Tang S.K., Vassiliev V.Yu., Mridha S., Chan L. Investigation of borophosphosilicate glass roughness and planarization with the atomic force microscope technique // Thin Solid Films, 1999, V.352, N1-2, pp.77-84.

Vassiliev V. Yu. Modern BPSG film technology (Invited lecture) // Visual booklet of tutorial course on the 4th Int. Dielectric for ULSI Multilevel Interconnection Conf., Santa Clara, USA, February 18, 1998, p.p.111-192.

Последняя редакция анкеты: 9 января 2014, 20:19

Получить код для установки баннера на сайте, в блоге


5