Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 14694 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Васильев Владислав Юрьевич

Васильев Владислав Юрьевич

Учёная степень: Доктор химических наук

Научное направление: Химические науки

Регион: Новосибирская область

Индекс цитирования научной биографии: 2 (по количеству внешних ссылок)

Рейтинг: 46 (по количеству просмотров анкеты за последний месяц)

СЕРТИФИКАТ участника энциклопедии "Ученые России"

Васильев Владислав Юрьевич, род. 8 октября 1953 года в г. Саратов, Российская Федерация.

В августе 1976 года после окончания отделения химии факультета Естественных наук Новосибирского Государственного университета поступил на работу в качестве инженера в ОКБ при Новосибирском заводе полупроводниковых приборов (ОКБ при НЗПП) Работал в качестве ведущего инженера, научного руководителя НИР и главного конструктора ОКР, начальника сектора, начальника отдела, главного инженера научно-производственного комплекса. В настоящее время работает в должности советника генерального директора ОАО «НЗПП с ОКБ» по технологическим вопросам. Основная область интересов: технология и оборудование изделий микроэлектроники и микроэлектромеханических систем, тонкопленочные покрытия, осаждение из газовой фазы, оборудование и методология получения тонких пленок, методы анализа тонкопленочных покрытий, применение тонких пленок и др.

В 1996 приглашен на работу в отдел Research and Development предприятия ”Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.”, Сингапур (в настоящее время входит в состав предприятия "Global Foundries").

В 2002-2005 годах работал ведущим научным сотрудником Института физики полупроводников Российской Академии наук (ИФП СО РАН). С 2003 года по настоящее время ведет занятия в качестве профессора на кафедре Полупроводниковых приборов и микроэлектроники Новосибирского Государственного технического университета (НГТУ); а с 2005 года также на кафедре Технической электроники Сибирского Государственного университета телекоммуникаций и информатики (Новосибирск).

С 2005 года работает заместителем Генерального директора ООО «СибИС» (Новосибирск), первого в восточной части России дизайн-центра проектирования субмикронных интегральных микросхем и устройств на их основе. Является научным руководителем ряда научно-исследовательских работ, выполняемых по государственным контрактам с Министерством образования и науки РФ.

В 2006-2008 годах в рамках государственной программы Республики Корея “Brain Pool” был приглашен на должность приглашенного профессора в Корейский Политехнический университет, отделение Нано-оптической инженерии, для выполнения перспективного научно-технического проекта по разработке технологии осаждения сверхтонких слоев металлического рутения методами атомно-слоевого и импульсного осаждения из газовой фазы для субмикронных интегральных микросхем с проектно-технологическими нормами 60 - 40 нм.

В рамках области интересов является автором (соавтором) более 150 публикаций в отечественных и зарубежных научно-технических изданиях, в том числе в реферируемых журналах. Имеет 7 авторских свидетельств СССР и 3 патента России, 7 патентов США и 1 патент Республики Китай (Тайвань). Неоднократно выступал на отечественных и международных научных конференциях, в том числе с приглашенными докладами.

Сведения о диссертациях:

в 1990 защитил кандидатскую диссертацию по специальности «физическая химия», «Синтез слоев нитрида и диоксида кремния осаждением из газовой фазы на основе хлорпроизводных моносилана», СОАН СССР, Новосибирск;

в 2002 защитил докторскую диссертацию по специальности «химия твердого тела», «Процессы химического осаждения из газовой фазы и свойства фосфор- и боросиликатных стеклообразных слоев», СО РАН, Новосибирск.

Член общества “The Electrochemical Society”.

Член общества “American Nano Society”.

Биография включена в ”Marquis Who’s Who in Science and Engineering” США.

Подробная информация д.х.н. о В.Ю. Васильеве приведена на сайтах научной библиотеки НГТУ: http://library.nstu.ru/resource/elibrary/persjnalii/dostup_vasiliev/

и ResearchGate: https://www.researchgate.net/profile/Vladislav_Vasilyev2

Научные публикации:

Избранные научные публикации:

(за последние 15 лет, в обратном порядке, монографии и рецензируемые журналы)

Vasilyev V.Yu. Evaluation of Low Temperature TEOS-Ozone Silicon Dioxide Thin Film CVD under Sub-Atmospheric Pressure Using Consecutively Pulsed Reactant Injection // ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2015, v.4, N.1, p.p.N3164-N3167.

Vasilyev V.Yu. Thin Film Chemical Vapor Deposition in Integrated Circuit Technology: Equipment, Methodology and Thin Film Growth Research Experience // Nova Science Publishers, Inc., 2013, p.p.1-314. ISBN: 978-1-63321-150-6 (hardcover), ISBN: 978-1-63321-186-5 (ebook).

Васильев В.Ю., Морозова Н.Б., Игуменов И.К. Осаждение рутенийсодержащих тонких пленок из газовой фазы // Успехи химии, 2014, Т.83, №8, с.758-782.

Васильев В.Ю. Тренды развития методов химического осаждения из газовой фазы тонкопленочных материалов для прецизионных технологий // Нано- и микросистемная техника, 2014, №9, с.37-44.

Источники вторичного электропитания с «мягкой» коммутацией силовых ключей // Под ред. Ю.Д. Козляева, 2014, изд-во СО РАН, г. Новосибирск, 113 c.

Гридчин В.А., Васильев В.Ю., Чебанов М.А., Бялик А.Д., Чернов А.С. Численное моделирование элементов фотоэлектрического волоконно-оптического сенсора давления // Нано- и микросистемная техника, 2014, № 6, с.3 – 7.

Vasilyev V.Yu. Borophosphosilicate Glass Films in Electronics // Nova Science Publishers, Inc., 2013, p.p.1-243. ISBN: 978-1-62417-959-4 (hardcover). ISBN: 978-1-62618-034-5 (ebook).

Открытый доступ к главам книги на сайте:

https://www.novapublishers.com/catalog/product_info.php?products_id=39599

Vasilyev V.Yu. Application of Nitrous Oxide for Chemical Vapor Deposition of Thin Films Used in Integrated Circuit Technology / In “Advances in Chemistry Research”, Vol.19, Ed. J.C. Taylor // Nova Science Publishers Inc., 2013, p.p.55-84. 2013. ISBN: 978-1-62618-236-3 (hardcover).

Гридчин В.А., Чебанов М.А., Васильев В.Ю. Влияние термических деформаций на температурную стабильность характеристик кремниевых резонансных сенсоров давления // Нано- и микросистемная техника, 2013, №3, с.41-44.

Васильев В.Ю. Низкотемпературное осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении слоев диоксида кремния окислением тетраэтоксисилана смесью озон-кислород для применения в субмикронных интегральных микросхемах. Часть 1. Обзор состояния, направлений и задач исследования // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, 2013, вып.1 (230), с.76-87.

Гридчин В.А., Чебанов М. А., Васильев В.Ю. Моделирование влияния конструктивно-технологических параметров на характеристики кремниевых резонансных сенсоров давления // Известия вузов. Электроника, 2012, №2 (94), с.61-66.

Хабаров П.С., Шлемин Д.Л., Лысь В.Д., Лебедев Ю.П., Васильев В.Ю., Попов Ю.Н. Проектирование сложно-функциональных блоков смешанного сигнала на основе субмикронной технологии на примере микросхемы видеодекодера. Часть 2. Верификация микросхемы «на кремнии» // Вестник СибГУТИ, 2011, вып. 3, с. 3-13.

Хабаров П.С., Шлемин Д.Л., Лысь В.Д., Лебедев Ю.П., Васильев В.Ю., Попов Ю.Н. Проектирование сложно-функциональных блоков смешанного сигнала на основе субмикронной технологии на примере микросхемы видеодекодера. Часть 1. Конструкция и топология микросхемы // Вестник СибГУТИ, 2011, № 2, с. 23 – 34.

Vasilyev V. Yu. Low-Temperature Thermally-Activated Pulsed Chemical Vapor Deposition of Ruthenium Thin Films Using Carbonyl-Diene Precursor / In “Ruthenium: Properties, Production and Applications”, Ed. David B. Watson // Nova Science Publishers Inc., 2011, p.p.2-85. ISBN: 978-1-61761-617-4 (ebook), ISBN: 978-1-61761-550-4 (hardcover).

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 5. Схемы роста и корреляция закономерностей осаждения и свойств тонких слоев // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2012, вып. 2 (229), с. 54-69.

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 4. Обобщенная методология анализа закономерностей процессов роста тонких слоев // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 2012, вып. 1 (228),. с. 3-18.

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0.35-0.18 мкм. Часть 3. Закономерности роста слоев в промышленных реакторах //Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 2011, вып. 1(227), с. 24-36.

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоев из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0.35 – 0.18 мкм. Часть 2. Аппаратура и методология осаждения слоев // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 2011, вып. 1 (226), с.51-66.

Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоев из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0.35 – 0.18 мкм. Часть 1. Основные тенденции развития методов // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 2010, вып. 1 (224), с.67-82.

Vasilyev V., Mogilnikov K.P., Song Y.W. Properties of thermally annealed ruthenium thin films grown on seed layers in low temperature selective deposition region // Current Applied Physics, 2009, v.9, p.p.е148-е151.

Vasilyev V., Mogilnikov K.P., Song Y.W. Surface selective growth of ruthenium films under low temperature pulsed CVD conditions // Electrochem. Solid State Letters, 2008, v.11, N12, D89-D93.

Vasilyev V., Mogilnikov K.P., Song Y.W. Nucleation and growth of pulsed CVD Ruthenium films from tricarbonyl[eta4-cyclohexa-1,3-diene]ruthenium // J. Electrochem. Soc., 2008, v.115, N12, p.p. D763-D770.

Vasilyev V., Chung S.-H., Song Y.W. Quantifying ALD technology for High Aspect Ratio Structures // Solid State Technology, 2007, v.50, N8, p.p.53, 54, 56.

Васильев В.Ю., Репинский С.М. Осаждение диэлектрических слоев из газовой фазы // Успехи химии, 2005, Т.74, №5, с.452-483.

Васильев В.Ю. Применение процессов химического осаждения из газовой фазы в технологии изготовления микросхем с технологическими нормами 0.35-0.18 мкм // Электронная промышленность, 2005, вып. 2, с.20-32.

Vasilev V.Yu. Relationships between gas-phase film deposition, properties and structures of thin SiO2 and BPSG films // J. Electrochem. Soc., 2003, v.150, N12, p.p.F211-F218.

Васильев В.Ю. Заполнение ультрамалых зазоров в интегральных микросхемах осажденными из газовой фазы тонкими диэлектрическими материалами на основе диоксида кремния // Микроэлектроника, 2002, Т.31, №4, с.224-230.

Vassiliev V.Yu., Sudijono J.L., and Cuthbertson A. Trends in Void-Free Pre-Metal CVD Dielectrics // Solid State Technology, 2001, v.44, N3, p.p.129-136.

Vassiliev V.Yu., Lin C., Fung D., Hsieh J., and Sudijono J.L. Properties and gap-fill capability of high-density plasma chemically vapor deposited phosphosilicate glass films for subquarter micrometer ULSI device technology // Electrochem. and Solid State Letters, 2000, v.3, N2, p.p.80-83.

Vassiliev V.Yu., Zheng J.Z., Tang S.K., Lu W., Hua J., and Lin Y.S. Growth kinetics and deposition-related properties of subatmospheric-pressure chemically vapor deposited borophosphosilicate glass films // J. Electrochem. Soc., 1999, v. 146, N 8, p.p.3039-3051.

Tang S.K., Vassiliev V.Yu., Mridha S., Chan L. Investigation of borophosphosilicate glass roughness and planarization with the atomic force microscope technique // Thin Solid Films, 1999, v.352, N1-2, pp.77-84.

Последняя редакция анкеты: 17 января 2015, 19:41

Получить код для установки баннера на сайте, в блоге