RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 16138 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Бейсенханов Нуржан Бейсенханович


Бейсенханов Нуржан Бейсенханович

Учёная степень: доктор физ.-мат. наук

Ученое звание: профессор

Академик Российской Академии Естествознания

Научное направление: Физико-математические науки

Регион: Казахстан

Индекс цитирования научной биографии: 1 (по количеству внешних ссылок)

Рейтинг: 53 (по количеству просмотров анкеты за последний месяц)

СЕРТИФИКАТ участника энциклопедии "Известные Ученые"

Бейсенханов Нуржан Бейсенханович родился 07.09.1961 г в г. Шар (Чарск) Восточно-Казахстанской области. 21.06.1983 г. окончил физический факультет Казахского государственного университета. 21.10.1994 г защитил кандидатскую диссертацию в Институте проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (Московская обл., г.Черноголовка). 27.09.2011 г защитил докторскую диссертацию в ИПТМ РАН. 22.02.2017 приказом № 255 Комитета по контролю в сфере образования и науки МОН РК присвоено ученое звание профессора физики (Full professor). Зам. заведующего лабораторией нанотехнологий Казахстанско-Британского технического университета (г.Алматы, Казахстан). По приглашению общественных организаций Бейсенханов Н.Б. является членом Американской ассоциации содействия развитию науки (AAAS), академиком Российской Академии Естествознания, членом американского химического общества (ACS).

Индекс Хирша h7. Имеет 137 научных публикаций, включая 27 публикаций в международной базе Web of Sciences (All Databases, Beisenkhanov N* OR Bejsenkhanov N*, количество цитирований – 87 без с/ц). Кроме того, имеет 3 главы в европейских книгах, опубликованных издательством InTech, на которые поступило 10902 запросов с регистрацией от специалистов из 194 стран (2968 - США, 812 - Китай, 356 - Германия, 220 – Япония, 201 – Россия, 556 – Индия, и др). Подготовлены 2 кандидата физ.-мат.наук и 2 PhD. Был соавтором либо непосредственно участвовал с докладом (Япония, Россия, Бельгия, Германия и др.) в 29 Международных и Региональных научных конференциях в дальнем и ближнем зарубежье.

Бейсенханов Н.Б. имеет опыт по экспертизе научных статей, проектов и отчетов в качестве эксперта Национального центра государственной научно-технической экспертизы Республики Казахстан, Всемирной конференции по материаловедению и инженерии (CMSE), иностранного эксперта диссертаций PhD Пакистанского Института инженерии и прикладных наук (Pakistan Institute of Engineering and Applied Sciences, Islamabad, 45650 Pakistan), эксперта 4-х европейских научных журналов с импакт-фактором выше 1 – Applied Surface Science (Elsevier, Impact factor - 1.406), Journal of Materials Science (Springer US, IF 2007 - 1.081), Solid State Sciences (Elsevier, IF - 1.698), Materials Science and Engineering B (Elsevier, IF - 1.330) и бразильского научного журнала Tecnologia em Metalurgia, Materiais e Mineracao, рецензента диссертаций и авторефератов в РК и РФ.

С 1997 года по настоящее время под руководством Бейсенханова Н.Б. проводятся исследования по грантам и разделам исследовательских программ МОН РК. В настоящее время занят разработкой технологий по синтезу и исследованию материалов для нано- и микроэлектроники.

Награжден государственной наградой (медаль) «Қазақстан Республикасының тәуелсіздігіне 25 жыл». Решением Европейского научно-промышленного консорциума за вклад в развитие технических и физико-математических наук награжден орденом Александра Великого “За научные победы и свершения”, медалью им. Вильгельма Лейбница («Wilhelm Leibniz») и золотой медалью «Европейское качество» («European Quality»). Женат, имеет троих детей.

Научные публикации:

Основные публикации:

1. Бейсенханов Н.Б. Структурный анализ слоев кремния с концентрацией имплантированного углерода SiC0,7 // Известия МОН РК−НАН РК, серия физ.-мат. Алматы. − 2009. − №1. − С. 35−39.

2. Бейсенханов Н.Б. Кристаллизация слоев карбида кремния, полученных методом ионной имплантации // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – Москва. − 2010.− №10.− С.73-78.

3. Beisenkhanov N.B. Influence of treatment in the (O-2,H-2) plasma on the structure and physical properties of SnO (x) films // Physics of the Solid State. Vol. 53. Iss. 2. P. 390-397. 2011. Times Cited: 1. (IF2009 - 0.721)

4. S.A. Kukushkin, K.Kh. Nussupov, A.V. Osipov, N.B. Beisenkhanov, D.I. Bakranova. Structural properties and parameters of epitaxial silicon carbide films, grown by atomic substitution on the high-resistance (111) oriented silicon. // Superlattices and Microstructures. 111. 2017. 899-911. Times Cited: 2. (IF2016 - 2.117).

5. Nussupov Kair, Beisembetov Iskander, Kenzhaliev Bagdaulet, Beisenkhanov Nurzhan. Multistage slotted wind turbine (Éolienne à Fentes à Plusieurs Étages). International Application No.: PCT/KZ2017/000007, 10.04.2017. Pub. No.: WO/2017/213485, 14.12.2017. Priority Data 07.06.2016 (2016/0492.1). Applicants: Nussupov Kair (KZ) and JSC "Kazakh-British Technical University" (KZ).

6. S.A. Kukushkin, K.Kh. Nusupov, A.V. Osipov, N.B. Beisenkhanov and D.I. Bakranova. X-Ray Reflectometry and Simulation of the Parameters of SiC Epitaxial Films on Si(111), Grown by the Atomic Substitution Method. // Physics of the Solid State, 2017, Vol. 59, No. 5, pp. 1014–1026. Times Cited: 1 . (IF2016 - 0.831).

7. Nussupov K.K., Sigle V.O., Bejsenkhanov N.B. Investigation of the formation of Si and SiC crystalline phases in room-temperature C+ implanted Si // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Vol. 82. Iss. 1. P. 69-79. 1993. Times Cited: 18. (IF1992 - 1.152).

8. Karapatnitski I.A., Mit´ K.A., Mukhamedshina D.M., Beisenkhanov N.B. Optical, structural and electrical properties of tin oxide films prepared by magnetron sputtering // Surface & Coatings Technology. Vol. 151. P. 76-81. 2002. Times Cited: 19. (IF2000 - 1.002).

9. K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov, S.K. Zharikov, I.K. Beisembetov, B.K. Kenzhaliev, T.K. Akhmetov, and B.Zh. Seitov. Structure and composition of silicon carbide films synthesized by ion implantation // Physics of the Solid State Vol. 56. Iss. 11. 2014. P. 2307-2321. Times Cited: 3. (IF2013 - 0.782).

10. Mukashev B.N., Aimagambetov A.B., Mukhamedshina D.M., Beisenkhanov N.B., Mit’ K.A., Valitova I.V., Dmitrieva E.A. Study of structural, optical and electrical properties of ZnO and SnO2 thin films // Superlattices and Microstructures, Vol. 42. Iss. 1-6. P. 103-109. 2007. Times Cited: 15. (IF2006 - 1.259).

11. Nussupov K.K., Bejsenkhanov N.B., Tokbakov J. Investigation of structure and phase-transformations in silicon implanted with C-12(+) at room-temperature // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Vol. 103. Iss. 2. P. 161-174. 1995. Times Cited: 13. (IF1993 - 1.157)

12. Mukhamedshina D.M., Beisenkhanov N.B., Mit’ K.A., Valitova I.V. and Botvin V.A. Investigation of properties of thin oxide films SnOx annealed in various atmospheres // Thin Solid Films, Vol. 495. Iss. 1-2. P. 316-320. 2006. Times Cited: 15. (IF2003 - 1.598).

13. Mukashev B.N., Tokmoldin S.Zh., Beisenkhanov N.B., Kikkarin S.M., Valitova I.V., Glazman V.B., Aimagambetov A.B., Dmitrieva E.A., Veremenithev B.M. Influence of structure changes of oxide films on their physical properties // Materials Science and Engineering B. V.118. Iss. 1-3. P. 164-169. 2005. Times Cited: 13. (IF2003 - 1.070).

14. Abdullin K.A., Aimagambetov A.B., Beisenkhanov N.B., Issova A.T., Mukashev B.N., Tokmoldin S.Z. Electrical and optical properties of zinc oxide thin films grown by reactive magnetron sputtering method // Materials Science and Engineering B. Vol. 109. Iss. 1-3. P. 241-244. 2004. Times Cited: 10. (IF2002 - 1.085).

15. Mukhamedshina D.M., Beisenkhanov N.B., Mit K.A., Botvin V.A., Valitova I.V. and Dmitrieva E.A. Influence of plasma treatments on the properties of SnO(x) thin films // High Temperature Material Processes. Vol. 10. Iss. 4. P. 603-615. 2006. Times Cited: 5 (IF2004 - 0.194).

16. Mukhamedshina D.M., Mit’ K.A., Beisenkhanov N.B., Dmitriyeva E.A. and Valitova I.V. Influence of plasma treatments on the microstructure and electrophysical properties of SnO(x) thin films synthesized by magnetron sputtering and sol-gel technique // Journal of Materials Science-Materials in Electronics. Vol. 19. Supplement: 1. P. S382-S387. 2008. Times Cited: 4. (IF2006 - 1.029).

17. Mukhamedshina D.M., Beisenkhanov N.B., Mit’ K.A., Valitova I.V. and Botvin V.A. Influence of hydrogen plasma treatment on the structure and optical properties of tin oxide thin film produced by magnetron sputtering // High Temperature Material Processes. Vol. 9. Iss. 2. P. 307-319. 2005. Times Cited: 3. (IF2003 - 0.116)

18 Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Valitova I.V., Mit’ K.A., Mukhamedshina D.M., Dmitrieva E.A. Structure properties of carbon implanted silicon layers // Journal of Materials Science-Materials in Electronics. Vol. 19. Supplement: 1. P. S254-S262. 2008. Times Cited: 2. (IF2006 - 1.029).

19. E.A. Dmitrieva, D.M. Mukhamedshina, N.B. Beisenkhanov, K.A. Mit’. The effect of NH4F and NH4OH on the structure and physical properties of thin SnO2 films synthesized by the sol-gel method // Glass Physics and Chemistry. Vol. 40. Iss. 1. P. 31-36. 2014. (IF2012 - 0.339).

20. Beisenkhanov N. B. Crystallization of beta-SiC in Thin SiCx Layers (x=0.03-1.40) Synthesized by Multiple Implantation of Carbon Ions into Silicon // Technical Physics. Vol. 56. Iss. 2. P. 274-281. 2011. (IF2009 - 0.495).

21. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Mit’ K.A., Mukhamedshina D.M., Amreyeva Z.M. and Omarova Z.B. An influence of plasma treatment on structure properties of thin SiC films on Si. // High Temperature Material Processes. Vol. 14. Iss. 1-2. P. 193-203. 2010. (IF2008 - 0.340).

22. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.В., Valitova I.V., Dmitrieva E.A., Zhumagaliuly D., Shilenko Е.А. Structural studies of thin silicon layers repeatedly implanted by carbon ions // Physics of the Solid State. Vol. 48. Iss. 7. P. 1255-1267. 2006. Times Cited: 1. (IF2005 - 0.699).

23. Tokmoldin S.Zh., Mukashev B.N., Beisenkhanov N.B., Aimagambetov A.B. and Ovcharenko I.V. Structural and optical properties of thin metal-oxide films (ZnO and SnOx) deposited on glass and silicon substrates // Edited by: Ashok, S; Chevallier, J; Sopori, BL; et al. Book Series: Materials Research Society Symposium Proceedings. Vol. 864. P. 39-44. 2005. Times Cited: 1.

24. K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov, I.K. Beisembetov, B.K. Kenzhaliev, B.Zh. Seitov, E. Dulatuly, D.I. Bakranova. The formation of TixNy and TaxNy-based diffusion barriers. // Materials Today: Proceedings. Vol. 4, Iss. 3, Part A, 2017, P. 4534–4541.

25. Dina I. Bakranova, Sergey A. Kukushkin, Kair Kh. Nussupov, Andrey V. Osipov, Nurzhan B. Beisenkhanov. Epitaxial Silicon Carbide Films Grown by New Method of Replacement of Atoms on the Surface of High-resistivity (111) Oriented Silicon // 4th International Conference on Nano and Materials Science (ICNMS 2016). New York. 7-9 Jan., 2016. MATEC Web of Conferences. 43. 01003. P.1-4. (2016).

26. I.K. Beisembetov, K.Kh. Nusupov, N.B. Beisenkhanov, S.K. Zharikov, B.K. Kenzhaliev, T.K. Akhmetov, and B.Zh. Seitov. Synthesis of SiC Thin Films on Si Substrates by Ion-Beam Sputtering // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2015. Vol. 9, No.2. pp. 392-399.

27. Мухамедшина Д.М., Бейсенханов Н.Б., Мить К.А., Дмитриева Е.А. Медетов Н. Применение термических и плазменных обработок для модификации свойств тонких пленок SnO2 // Перспективные материалы. 2012. 1. С. 35-42.

28. К.Х.Нусупов, И.К.Бейсембетов, Б.К.Кенжалиев, Н.Б.Бейсенханов. Многоступенчатая щелевая ветроустановка. Патент №32569. 2016/0492.1. Республика Казахстан. 07.06.2016. Патентообладатель: Нусупов Каир Хамзаевич (KZ) и АО «Казахстанско-Британский технический университет» (KZ).

29 Nurzhan B. Beisenkhanov. An influence of glow discharge hydrogen plasma treatment on structure properties of thin SnOX and SiC1,4 films // Tsvetnye metally. 2010. Iss.4. P.66-67. (Non-ferrous metals. 2011. 1. P. 24-27).

30. Бейсенханов Н.Б., Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Токмолдин С.Ж., Валитова И.В., Глазман В.Б., Аймагамбетов А.Б., Дмитриева Е.А. Исследование структурных превращений в тонких пленках SnOx // Поверхность. 10. Москва. 2005. С.93-100.

31 Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Дощанов А.М., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Нусупов К.Х. Синтез β-SiC в слоях SiCx (x = 0,03-1,4) многократной имплантацией ионов С в Si // Вестник ННГУ. Нижний Новгород. 2011. 2. С. 38-45.

32 Бейсенханов Н.Б. Структурный анализ слоев кремния имплантированных углеродом // Вестник ННГУ. Нижний Новгород. 2010. 1. С. 46-56.

33. И.К.Бейсембетов, К.Х.Нусупов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев, Т.К.Ахметов, Р.Ивлев. Структура наноразмерных пленок углерода и карбида кремния на кремнии, полученных магнетронным и ионно-лучевым распылением мишени // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. Изд. "Радиотехника" (Москва). 2012. 3(4). С. 30-35.

34. И.К.Бейсембетов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев, К.Х.Нусупов, Т.К.Ахметов, Б.Ж.Сеитов. Инфракрасная спектроскопия ионно-синтезированных тонких пленок карбида кремния // Вестник ННГУ. Нижний Новгород. 2013. 4(1). С. 42-55.

35. Бейсенханов Н.Б. Исследования тонких слоев кремния с низкой концентрацией имплантированного углерода (SiC0,03 и SiC0,12) //Известия высших учебных заведений. Физика. Томск. госун-т. РФ. 2008. 51 (11/3). С.3-10.

36. Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Дощанов А.М., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К., Нусупов К.Х. Синтез пленок со структурой типа алмаза (С, SiC) на кремнии осаждением либо имплантацией ионов 12C // Вестник ННГУ. Нижний Новгород. 2011. 3(1). С. 50-55.

37. Нусупов К.Х., В.О.Сигле, Бейсенханов Н.Б., Токбаков Дж. Неразрушающий метод измерения концентрации электрически активных центров в области p-n перехода.- Электронная техника. 1990, серия 7, ТОПО, вып.5 (162), С. 67-70.

38 И.К.Бейсембетов, К.Х.Нусупов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев, Т.К.Ахметов, Б.Ж.Сеитов. Формирование и структура наноразмерного слоя карбида кремния на кремнии при имплантации ионов углерода высоких доз // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. – Изд. "Радиотехника" (Москва). 2013. 4(2). С. 36-42.

39 Нуржан Бейсенханов. Структурные и физические свойства пленок SiCx и SnOx. Синтез и исследование различными методами // Palmarium Academic Publishing. ISBN: 978-3-8473-9067-1. Saarbrücken, Germany. 2012. 308 p. http://www.baspress.com/book.php?l=cqxicudz&id=244&t=lap)

Главы в европейских книгах:

1. Kair Nussupov and Nurzhan Beisenkhanov. The Formation of Silicon Carbide in the SiCx Layers (x = 0.03-1.4) Formed by Multiple Implantation of C Ions in Si. // In book: Silicon Carbide - Materials, Processing and Applications in Electronic Devices. Moumita Mukherjee (Ed.). 2011. Chapter 4. InTech. P. 69-114. ISBN: 978-953-307-968-4. Available from: http://www.intechopen.com/books/silicon-carbide-materials-processing-and-applications-in-electronic-devices/the-formation-of-silicon-carbide-in-the-sicx-layers-x-0-03-1-4-formed-by-multiple-implantation-of-c-

2. Daniya M. Mukhamedshina and Nurzhan B. Beisenkhanov. Influence of Crystallization on the Properties of SnO2 Thin Films. // In book: Advances in Crystallization Processes. Yitzhak Mastai (Ed.). 2012. Chapter 9. InTech. PP. 219-258. ISBN: 978-953-51-0581-7. Available from: http://www.intechopen.com/books/advances-in-crystallization-processes/influence-of-crystallization-on-the-properties-of-sno2-thin-films

3. Kair Kh. Nussupov and Nurzhan B. Beisenkhanov. Ion Synthesis of SiC and Its Instability at High Temperatures // In book: Physics and Technology of Silicon Carbide Devices. Dr. Yasuto Hijikata (Ed.). 2013. Chapter 3. InTech. PP.47-96. ISBN: 978-953-51-0917-4. DOI: 10.5772/51389. Available from: http://www.intechopen.com/books/physics-and-technology-of-silicon-carbide-devices/ion-synthesis-of-sic-and-its-instability-at-high-temperatures,

и другие.

Бейсенханов Нуржан Бейсенханович имеет награды:

Почетное звание "Заслуженный деятель науки и образования РАЕ"
Gold medal "European Quality" (Золотая медаль «Европейское качество»)
Медаль имени В. Лейбница
Награда «Орден Александра Великого «ЗА НАУЧНЫЕ ПОБЕДЫ И СВЕРШЕНИЯ»

 

Публикации в изданиях Российской Академии Естествознания: 1 / перечень публикаций

Последняя редакция анкеты: 27 апреля 2018, 15:32

Получить код для установки баннера на сайте, в блоге

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания”
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Современные проблемы науки и образования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.953

«Фундаментальные исследования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 1.094

«Современные наукоемкие технологии» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.725

«Успехи современного естествознания» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.869

«Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований», ИФ РИНЦ = 0.800

«Международный журнал экспериментального образования», ИФ РИНЦ = 0.469

«European journal of natural history», ИФ РИНЦ = 0.864

«Международный студенческий научный вестник», ИФ РИНЦ = 0.445

«Рациональное питание, пищевые добавки и биостимуляторы»

Издание научной и учебно-методической литературы, ISBN, РИНЦ, DOI