RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 15767 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Джафаров Маариф Али оглы


Джафаров Маариф Али оглы

Учёная степень: д.ф.м.н.

Ученое звание: проф.

Член-корреспондент Российской Академии Естествознания

Научное направление: Физико-математические науки

Регион: Азербайджан

Индекс цитирования научной биографии: 2 (по количеству внешних ссылок)

Рейтинг: 54 (по количеству просмотров анкеты за последний месяц)

СЕРТИФИКАТ участника энциклопедии "Известные Ученые"

04.08.1960, Минкенд, Лачин, Азербайджан

В1982-ом году закончил физический факультет Бакинского Государственного Университета,

К.ф.м.н. 1989, Фотоэлектрические свойства пленок Cd1-хZnx S, осажденных из раствора и монокристаллов СdS:Cu n и p типа

Д.ф.м.н, 2007 г.: Электронные процессы в монокристаллах некоторых соединений типа A2B6 и химически осажденных пленках их твердых растворов.

1982-1991г.г. Научно- Исследовательский Институт Прикладной Физики –инженер-научный сотрудник

1991-1993 старший научный сотрудник Института Фотоэлектроники Национальной Академии Наук

1994-2005 г.: заведующий НИЛ Твердотельной электроники

с 2005 г. ведущий научный сотрудник Института Физических Проблем БГУ

с2010г. профессор кафедры «Физики полупроводников» БГУ

240- опубликованных работ, из них до 100 статьи, 50 материалов конференции, 6 патент,

Под руководительством защитился 3 кандидатских работ

научные интересы-Солнечная энергетика, Твердотельная электроника и микроэлектроника, Наноэлектроника, Негатроника, Технология наноразмерных частиц и пленок

Научные публикации:

Книги:

1. М.А.Джафаров, Э.Ф.Насиров Электронные свойства наноструктированных материалов соединений А2В6. Монография, LAMBERT Academic Publishing, Германия, 183 стр, 2013

2. М.А.Джафаров, Материалловведение и технология полупроводников. İSBN 978-9952-435-34-04, Баку-2014, 286с.

3. А.Г.Кязым-заде, В.М.Салманов, М.А.Джафаров, А.Г.Гусейнов, Р.М.Мамедов. Практикум по физике полупроводников. İSBN 978-9952-435-31-03, Баку-2014, 433с.

4. А.Г.Кязым-заде, В.М.Салманов, М.А.Джафаров, А.Г.Гусейнов, Р.М.Мамедов. Практикум по физике полупроводников. İSBN 978-9952-435-31-03, Баку-2014, 403с.

5. А.Г.Кязым-заде, В.М.Салманов, М.А.Джафаров, А.Г.Гусейнов, Р.М.Мамедов. Задачи по физике полупроводников. İSBN 978-9952-435-38-02, Баку-2014, 260с.

Статьи:

1. М.А.Джафаров, С.А.Мамедова, Э.Ф.Насиров, Отрицательная фотопроводимость в пленках твердых растворов соединений AIIBVI Физика и техника полупроводников, 2014, 48, вып. 5, с.590-596

2. М.А.Джафаров, Р.Ф.Мехтиев Негатронные эффекты в пленках CdSe1-xTex и ZnS1-xSex Поверхность. Рентгеновские, синхронотронные и нейтронные исследования, 2014, № 2, с.1-7

3. М.А.Джафаров, Электронные свойства пленок р-CdS. Российские нанотехнологии | том 9 | № 9–10, 2014, c.6-9

4. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov, Fabrication and Characterization ZnCdS nanowire. NANOSYSTEMS: PHYSICS, CHEMISTRY, MATHEMATICS, 2014, 5 (6) pp.796-802.

5. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov , R.Jafarli, Generation of Cd1-xZnxS nanoparticles by laser ablation in liquids. Proc. SPIE 9170, Nanoengineering: Fabrication, Properties, Optics, and Devices XI, 917015 (August 28, 2014); doi:10.1117/12.2061219

6. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov , Investigation p-CuInGaSe2/n-Cd1-xZnxS heterojunctions obtained by electrochemical deposition. International Journal of Engineering Science and Innovative Technology (IJESIT) Volume 3, Issue 5, 2014, pp 418-424

7. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov , Preparation of Nanosized CZTS Structures for Solar Cells, International Journal of Engineering Innovation Research, Volume 3, Issue 6, ISSN: 2277 – 5668, pp741-745

8. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov , Photoelectric Properties of Thin Film Si |ZnS Se Heterojunctions,

International Journal of Engineering Innovation Research, Volume 3, Issue 6, ISSN: 2277 – 5668, pp. 873-876.

9. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov, Cu2ZnSnS4 thin film solar cells. International Journal of Scientific Research, 2014,Vol 3, pp354-356

10. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov, Fabrication and Characterization p-CdS nanowire, International Journal of Latest Research in Science and Technology

11. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov, Photoelectric properties of thin film p-CdS/n-CdS/n-CdZnSSe heterojunctions. International Journal on “Technical and Physical Problems of Engineering” (IJTPE), 2014, Issue 19, Vol. 6, Number 2, P. 71-75

12. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov, The features of nanosized Zn1-хCdхSе films deposited on porous Si. PARIPEX - INDIAN JOURNAL OF RESEARCH Volume, 3, Issue : 12, Dec 2014 pp. 95-98

13. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov, Fabrication and Characterization CdS nanowire, International Journal Current Research, Vol. 6, Issue, 12, pp.10550-10553, December, 2014

14. М.А.Джафаров, С.А.Мамедова, Р.Ф.Мехтиев Фотопроводимость пленок твердых растворов на основе АIIBVI, осажденных из раствора. Неорганические Материалы, 2013, том 49, № 11, с. 1168-1172

15. M.A.Jafarov, E.F.Nasirov. Preparation of Nanosized A2B6 Compound Multilayer Structures for Solar Cells. Universal Journal of Physics and Application 1(2): 125-129, 2013

16. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov Nanoscale Structures based on the Zn1-xCdxS. Nanosystems: physics, chemistry, mathematics, 2013, 4 (5), P. 680-689

17. M.A.Jafarov, E. F.Nasirov Peculiarities of ZnCdSe Nanolayers by Chemical Deposition. Journal of Chemistry and Chemical Engineering, 7(2013) 402-408

18. M.A.Jafarov, H.M.Mammadov, Investigation of p-GaAs /n-Cd1-xZnxS1-yTey/ZnO Heterojunctions With Nano-Transparent ZnO Electrodes The Twenty-first Annual International Conference on composites/nano engineering (ICCE-21) Tenerife, Spain 2013, s.327-331

19. М.А.Джафаров, Пленочный р-n переход на основе сульфида кадмия Учебный эксперимент в образовании, Научно-методический журнал , 4 (2013), с.45-51.

20. М.А.Джафаров, С.А.Джахангирова Е.А.Ханмамедова Фотохимическая реакция в наноразмерных oсажденных из раствора пленках твердых растворов А2В6. Учебный эксперимент в образовании Научно-методический журнал , 2 (2013), с.65-73.

21. М.А. Джафаров, Э.Ф. Насиров Фотохимическая реакция в наноразмерных пленках твердых растворов А2В6, осажденных из раствора. Конденсированные среды и межфазные границы, Том 15, № 3, с. 260-265, 2013

22. М.А. Джафаров, Э.Ф.Насиров Наноструктурированные материалы на основе сульфида кадмия. Наносистемы: физика, химия, математика, 2012, 3 (6), С. 91–97

23. М.А. Джафаров, Э.Ф.Насиров Properties of the thin-film solar cells with heterojunctions Cu2S- Cd1-xZnxS and Cu2Se-Cd1-xZnxSe. Proceeding of SPIE 8470, Thin Film Solar Technology IV, 84700l

24. М.А.Джафаров, Э.Ф.Насиров Создание и физические свойства гетеропереходов p-CdTe/n-ZnCdSe. Альтернативная энергия и экология, No 10, Москва, 2012, с. 45 – 49.

25. Низкотемпературная технология создания фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии. Global science communications, ISSN 2076-9970, p.47-51, 2012

26. Химическое строение и структура наноразмерных пленок ZnSSe, полученных химическим осаждением из жидкой фазы, Теория и практика в физико-математических науках, Журн. "Естественные и технические науки" и изд-во "Спутник"; Москва, 2012. - 59 с.

27. M.A.Jafarov, E.F.Nasirov Solar Energy Conversion by Cells using CdZnS and CdTe Films. Lecture Notes in İnformation Technology. V 13, pp 76-79

28. Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мамедов Г.М., Насиров Э.Ф. Функциональные возможности пленок CdSe1-xТеx, осажденных из водного раствора, в ИК области спектра // “Прикладная физика”, Москва, 2008. В.3, с.84-89.

29. Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мамедова С.А. Рекомбинационные процессы в пленках CdSe1-xTex, осажденных из раствора химическим способом. «Неорганические материалы» 2007. В.3,. c.1-3

30. Джафаров М.А., Насиров Э.Ф. Преобразователь оптического изображения на основе гетероперехода Cd1-xZnxS-CdTe1-xSex. «Прикладная физика”, Москва, 2007, В.4, с.95-99

31. Abdinov A.Sh., Jafarov M.A., Nasirov E.F., Mammadova S.A. Solar Cells on the base of Cd1-xZnxS/ CdSе1-xТex heterojunctions. Technical and Physical Problems in Power Enginering. 2006, p.1072-1074.

32. Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мамедов Г.М., Насиров Э.Ф. Отрицательная инфракрасная фотопроводимость в пленках CdS1-xSex, осажденных из раствора // “Прикладная физика”. Москва, 2004. В.3, с.94-97.

33. Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мамедов Г.М., Насиров Э.Ф. Функциональные возможности пленок Cd1-xZnxSe, осажденных из водного раствора, в ИК области спектра // “Прикладная физика”. Москва, 2004. В.4, с.84-89.

34. Abdinov A.Sh., Jafarov M.A., Nasirov E.F. Photoelectric properties of films А2В2С6, deposited from solution / Proc. SPIE, 2004, v.5834, p.254-259.

35. Zamanova E.N., Jafarov M.A. Photoconductivity Cd1-xZnxS films, deposited from a water solution. / Second International Conf. on Technical and Physical Problems in Power Engineering. Tabriz 2004, p.408-410.

36. Jafarov M.A. Photoreceivers of JR radiation on the basis of CdSe:Cu films deposited from solutions / Proc. SPIE. V.4340, p.121-124.

37. Джафаров М.А. Продольные фотоприемники на основе пленок CdSe:Cu, осажденных из раствора // Прикладная физика. Москва, 2000, в.6, с.68-73.

38. Абдинов А.Ш., Джафаров М.А, Насиров Э.Ф., Бабаева Р.Ф., Мамедов Г.М. Фотопроводимость осажденных из раствора пленок Cd1-xZnxSe в ИК области // Прикладная физика Москва, 2000, В.6., с.56-62.

39. Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мамедов Г.М, Мехтиев Н.М.,Насиров Э.Ф. Фотоприемники ИК излучения на основе пленок CdS1-x Sex, осажденных из раствора // Прикладная физика, Москва, 2000, В.6, с.63-67.

40. Джафаров М.А. Спектральная память в пленках Cd1-xZnxS, осажденных из раствора. // Неорганические Материалы, 1999, т.35, в.3 с.300-302.

41. Джафаров М.А. Фотоэлектрические свойства пленок Cd1-xZnxS, осажденных из водного раствора // Неорганические Материалы, 1999, т.35, в.11. с.1307-1312.

42. Jafarov M.A., Mamedov H.M. Recombination processes in Cd1-xZnxS, films deposited from solution // Journal of Physics. Condensed Matter, 124CM/AbC. 1999, р.3245-3248.

43. Jafarov M.A. About mechanism of conductivity in thin film diode structures based on the basis of Cd1-xZnxS // Journal of Physics. Condensed. Matter. 10СМАвС, 1999, р. 984-986.

44. Zamanova E.N., Jafarov M.A., Mamedov H.M. Effect of heat treatment on electroрhysical and photoelectrical properties of the p-type CdS policrystals // Semiconductor science and Technology, 12sst/abc. 1999, p.1234-1239.

45. А.Ш.Абдинов, M.А.Джафаров, Р.М.Рзаев, Влияние легирования Dy на ФЭ свойства GaSe. Неорганические материалы, 1999, т.35, в.4, с.410-412

46. Джафаров М.А. Отрицательная фотопроводимость в пленках Cd1-xZnxS, полученных осаждением из водного раствора // Неорганические материалы,, 1998, т.34, № 9, с.1034-1036.

47. А.Ш.Абдинов, M.А.Джафаров, Р.М.Рзаев, Собственные дефекты и примеси диспрозия в GaSe. Неорганические материалы, 1998, т.34, № 3, с.271-273.

48. Гусейнов Э.К., Джафаров М.А., Насибов И.А., Гасанов И.И., Мамедов А.К. Characteristics of CdS:Cu photosensitive films obtained by magnetron sputtering method. // Turkish journal of Physics, 1997, V.21, 2, p.206-211

49. Гусейнов Э.К., Джафаров М.А., Насибов И.А. Noise characteristics of Cd1-хZnхS films deposited from the solution. // Turkish journal of Physics. 1997, V.21, 12, p.1255-1259.

50. M.А.Джафаров, Эффект переключения в монокристаллах (In2Te3) и (FeTe). Неорганические материалы. 1996, т.32, № 1, с.34-35.

51. Заманова Э.Н, Джафаров М.А. Эффект фотопамяти в высокоомных фоточувствительных монокристаллах CdS:Cu. //Физика и Техника Полупроводников, т.29, в.8, 1995, с.1411-1413.

52. Заманова Э.Н., Джафаров М.А. Оптический фильтр ИК диапазона на основе монокристалла CdS, легированного медью. // Приборы и техника эксперимента, 1995, № 1, с.129-131.

53. Способ получения фоточувствительного слоя. AS 1632307, 1990

54. Полупроводниковые материалы. АС № 1528182, 1989,

55. Способ изготовления фотоэлектрического прибора. АС № 1540602, 1989,

56. Способ получения р-п переходов на CdS. АС № 1393244, 1988,

1. Джафаров М.А. Электрохимические осаждение пленок CdS. III Весоюзное совещ. по химии и технологии халькогенов и халькогенидов. Караганда, 1986, с.290.

2. Джафаров М.А. Kaluga, Russia; V-International Conference on physical processes in the semiconductor heterojunctions, 1990,

3. Джафаров М.А. Влияние режимов осаждения и термической обработки на ФЭ свойства пленок CdS. IV Всесоюзное совещание по химии и технологии халькогенов и халькогенидов, Караганда, 1990, с.404.

4. Получение и исследование некоторых электрических и оптических свойств системы Bi-Te-Se. IV Всесоюзное совещание по химии и технологии халькогенов и халькогенидов Караганда, 1990, с.405.

5. Получение и исследование монокристаллических пленок Bi2Te3 и Bi2Se3. IV Всесоюзное совещание по химии и технологии халькогенов и xалькогенидов. Караганда, 1990, с.406

6. Джафаров М.А. Ashkabad, Turkmenistan; The Conference on Photoelectrical phenomena in semiconductors 1991,

7. Jafarov M.A., On nature of electronic processes CdZnS by method of deposition from solution. Physics of multicomponent semiconductors. Baku, 1992, p.30.

8. Джафаров М.А. Taiwan, Seventh International Conference on solid films and surfaces. 1994,

9. Jafarov M.A., Меchtiev N.М. Infrared quenching of photoconductivity in Cd1-хZnхS films deposited from the solution / Physical problems in material science of semiconductors. Chernivitsi: 1997, p.327.

10. Jafarov M.A. Noise characteristics of CdZnS films deposited from the solution. / Physical problems in material science of semiconductors, Chernivitsi: 1997, p.278.

11. Джафаров М.А. Рекомбинационные процессы на глубоких центрах в пленках Cd1-хZnхS / Международная конференция “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах», Ульяновск: 1997. с.109-110.

12. Джафаров М.А. Негатронные явления в пленках Cd1-хZnхS, осажденных из раствора. / Международная конференция “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах”, Ульяновск: 1997.с.111-112.

13. Jafarov M.A., Mamedov H.M. Study of photoluminescence spectra in p-type CdS. / Physical problems in material science of semiconductors. Chernivtsi: 1999, p.141.

14. Jafarov M.A., Mamedov H.M. Photoelectromagnetic phenomena in CdZnS films deposited from the solutions / Physical problems in material science of semiconductors. Chernivtsi: 1999, p.151

15. Jafarov M.A, Mamedov H.M. Characterics of CdS:Cu photosensitive films deposited from the solutions. / Physical problems in material science of semiconductors. Chernivtsi: 1999, p.284.

16. Zamanova E.N., Jafarov M.A., Bagirova S.М. Current transport in MOS structures on the base of CdS / Second International symposium on Mathematical computational applications. Baku: / 1999, p.88.

17. Джафаров М.А. Пленочный р-п переход на базе CdS. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники / Международная научно-техническая конференция, Таганрог: 2000, с.173-175.

18. Джафаров М.А, Насиров Э.Ф., Мамедов Г.М. МДП-структуры на основе пленок CdS1-xSex / Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Труды 8-ой Международной конференции, Таганрог: 2002, с.186.

19. Джафаров М.А., Мамедов Г.М., Насиров Э.Ф. Физические свойства пленок Cd1-хZnхS, Cd1-хZnхSе и CdS1-хSeх, осажденных из раствора / III Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», СПб.: 2002, с.107.

20. Abdinov A.Sh., Jafarov M.A., Mamedov H.M, Nasirov E.F. Special features of electric and photoelectric properties of Cd1-xZnxS/n-CdS1-xSex Heterojunctions / Thin film and nano-structured materials for photovoltaic E-MRS Spring Meeting, Strasbourg: 2003.

21. Джафаров М.А, Насиров Э.Ф. Преобразователь оптического изображения на основе гетероперехода Сd1-xZnxS-CdТе1-xSex / XVIII Международная конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва 2004, c 202-203.

22. Джафаров М.А, Насиров Э.Ф. Гетеропереходы на основе пленок А2В2С6, осажденных из раствора / IV Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» Санкт-Петербург, 2004.

23. Jafarov M.A., Nasirov E.F. Obtaining of А2В2C6 type thin films by method of chemical deposition / Light in nanosize solide 1 International Scientific Seminar, Baku: 2004, p.35.

24. Джафаров М.А, Насиров Э.Ф., Тахмазова А.И. Фотоэлектрические свойства пленок типа А2В2С6, осажденных из раствора. /VI Международная конференция Опто-, нано-электроника, нанотехнология и микросистемы. Ульяновск , 2004

25. Джафаров М.А, Насиров Э.Ф. Фотолюминесцентные свойства пленок А2В2C6, осажденных из раствора. / VI Международная конференция Опто-, нано-электроника, нанотехнология и микросистемы. Ульяновск , 2004.

26. Abdinov A.Sh., Kazimzade A.H., Jafarov M.A., Nasirov E.F. Features of electric and photoelectric properties of А2В6 thin films deposited from a solution in micro and nanoelectronics. / Thin film and nano-structured materials for photovoltaic E-MRS Spring Meeting, Strasbourg: 2005, F53/62.

27. Джафаров М.А, Насиров Э.Ф. Механизм образования донорно-акцепторных пар в наноразмерных пленках CdS1-xSex и CdSе1-xТex. / VI Международная конференция Опто-, нано-электроника, нанотехнология и микросистемы. Ульяновск, 2006.

28. Джафаров М.А, Насиров Э.Ф. Некоторые физические свойства пленок Cd1-xZnxS, полученных химическим способом. / VI Международная конференция Опто-, нано-электроника, нанотехнология и микросистемы. Ульяновск, 2006.

29. M.A.Jafarov, E.F.Nasirov, S.A.Mamedova, S.А.Jahangirova. Negatron Phenomenon in А2В2(6)С6 films Deposited from solution. Thin film and nanostructured materials for photovoltaics. E-MRS Spring Meeting Strasbourg, 2006.

30. Джафаров М.А., Мамедова С.А., Насиров Э.Ф., Аномальная фотопроводимость в наноразмерных пленках твердых растворов CdSe1-xTex, IX Международная Конференция опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, с.72, Ульяновск, 2007.

31. Джафаров М.А., Мамедова С.А., Насиров Э.Ф., Получение и физические свойства барьеров Шоттки на основе наноразмерных пленок CdSe1-xTex, IX Международная Конференция опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, с.59, Ульяновск, 2007.

32. Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Мехтиев Р.Ф. Кинетика роста и термическая стабильность нанопленок сульфидов кадмия и цинка. X Международная Конференция опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, с.61, Ульяновск, 2008.

33. Джафаров М.А., Джахангирова С.А., Насиров Э.Ф. Особенности наноразмерных пленок CdSе1-хТeх, полученных химическим и электрохимическим методами. X Международная Конференция опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, с.209, Ульяновск, 2008.

34. Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Получение наночастиц сульфоселенида цинка в микроэмульсионных системах Третья Всероссийская конференция по наноматериалам. Екатеринбург, НАНО-2009

35. Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Получение и исследование свойств наноразмерных композитных материалов на основе сульфидов, XI Международная Конференция опто-нано электроника, Ульяновск, 2009

36. M.A.Jafarov, E.F.Nasirov, Photochemical deposition of ZnSSe thin films, EMRS – Strasbourg, Engineering of wide bandgap semiconductor materials for energy saving 09 May 2011

37. Джафаров М.А., Насиров Э.Ф Физические свойства пленок ZnSе1-хSх, осажденных из водного раствора Международная конференция «Актуальные проблемы физики и химии поверхности», 11–13 мая 2011, Киев – Украина

38. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov , Characteristics of CdSeTe films. EMRS – Strasbourg Advanced inorganic materials and concepts for photovoltaics. 12 May 2011

39. Preparation of cadmium sulfide nanoparticles on the substrate of porous-Si, XIX уральская зимняя школа по физике полупроводников, с.251, February 20 to 25, 2012 Ekaterinburg, s.252

40. Пленочный р-п переход на основе CdS Фізика, електроніка, Електротехніка ФEE : СГУ, Ukraine, 2012, с.111.

41. Nanonegatron Phenomenon in ZnS1-xSex Films, Deposited from Solution, Electronics and nanotechnology Proceedings of the XXXII International Scientific Conference ELNANO 2012, April 10-12, 2012, Kiyеv, Ukraine, p.50-51

42. Preparation of p-Type Cadmium Sulfide Nanoparticles in Emulsion Systems, Electronics and nanotechnology, Proceedings of the XXXII International Scientific Conference ELNANO 2012, April 10-12, 2012, Kyiv, Ukraine, p.125-126

43. Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения на основе сульфоселенида цинка, XXII Международная научно-техническая конференция, школа молодых специалистов и выставка по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 22-25 мая 2012, Москва, Россия, с.151-153

44. Функциональные материалы на основе халькогенидных наночастиц, XXII Международная научно-техническая конференция, школа молодых специалистов и выставка по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 22-25 мая 2012, Москва, Россия, с.249-251

45. Получение наночастиц сульфида кадмия p-типа в эмульсионных системах, Международная научно-техническая конференция «Фундаментальные и прикладные проблемы физики» Мордова-2012, с.143-146

46. Технологические особенности получения наноразмерных пленок соединений А2В6 Международная научно-техническая конференция «Фундаментальные и прикладные проблемы физики» Мордова-2012, с.146-148

47. Solar energy conversion by cells using CdZnS and CdTe films. International Conference on Power and Energy Systems (ICPES 2012) Hong Kong, April 12-13, 2012. С.76-79

48. Photosensitivity of heterojunctions CdZnS /CdS /CdTe, obtained by chemical deposition, Photovoltaic technical conference – thin film & advanced silicon solutions 2012, France,

49. Наноструктурированные пленки сульфида кадмия. VI Международная научно-практическая конференция «Современные направления научных исследований» Россия, Екатеринбург-2012, 42-45

50. ФОТОХИМИЧЕСКАЯ РЕАКЦИЯ В НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНКАХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ A2B6, осажденных из раствора. Материалы международ ной конференции «Структурная релаксация в твердых телах» Украина-29-31 мая 2012 г. С.113-115

51. Физические свойства нанопленок ZnSе1-хТeх, осажденных из водного раствора, VIII Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", 2 - 5 июля 2012 г. Санкт-Петербург, с. 376-377,

52. Получение и физические свойства структур Al/р-CdS -ZnSе1-xТex. VIII Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", 2 - 5 июля 2012 г. Санкт-Петербург, с. 374-375

53. Preparation of nanosized A2B6 compaund мultilayer structures for solar cells. Technical and Physical Problems of Power Engineering. İCTRE-2012, р.445-448

54. Фотолюминесценция наночастиц CdZnS. Конференция «Опто-, нано электроника, нанотехно-логии и микросистемы» Россия, Ульяновск-2012, 4 -7 сентября 2012 г.

55. Получение наночастиц p-CdS в эмульсионных системах. Вторая конференция стран СНГ Золь-гель синтез и исследование неорганических соединений, гибридных функциональных материалов и дисперсных систем «Золь-гель-2012» 18-20 сентября 2012 г, с.85

56. Получение наночастиц ZnSSe в растворе полиэтиленгликоля. Вторая конференция стран СНГ Золь-гель синтез и исследование неорганических соединений, гибридных функциональных материалов и дисперсных систем «Золь-гель-2012» 18-20 сентября 2012 г, с.86

57. Properties of the thin-film solar cells with heterojunctions Cu2S-Cd1-xZnxS and Cu2Se- Cd1-xZnxSe SPIE-Optic+Photonic 2012 Thin Film Solar Technology IV Conference Program: 12 - 16 August 2012 San Diego, California, USA

58. Solar energy conversion by cells using electrochemical deposited Zn1-xCdxS/CdTe, SPIE-Optic+Photonic 2012, Thin Film Solar Technology IV Conference Program: 12 - 16 August 2012, San Diego, California, USA

59. The features of nanosized Zn1-хCdхSе films deposited on porous Si. E-MRS 2012 FALL MEETING September 17-21, Warsaw University of Technology, Poland

60. Hydro chemical deposition method nanofilms ZnS1-xSex. E-MRS 2012 FALL MEETING, September 17-21 Warsaw University of Technology, Poland

61. Photo, electrochemical deposition of Zn(Cd)S(Te)Se thin films for solar cells. 6th Interntional Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics (MSCMP 2012). Chisinau, Moldova. September , 11-14, 2012. Р.141

62. Photosensitivity of heterojunctions ZnCdS /CdTe, obtained by pulsed electrochemical deposition 6th Interntional Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics (MSCMP 2012), Chisinau, Moldova. September 11-14, 2012,р.79

63. The features of nanosized Cd1-ХZnХS films deposited on porous p-Si. 6th Interntional Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics (MSCMP 2012) Chisinau, Moldova. September 11-14, 2012.р.78

64. Zn1-xCdxS nanoparticles, nanofilms, nanoscale junction for solar sells. Second International Sientific Conference «Nanomaterials: Application & Properties» (NAP´2012) The Crimea, Ukraine September 17-22, 2012

65. Solar cells on the bazis heterojunctions p-CdS/p-CdTe/CdZnS, obtained by chemical deposition. Международная конференция "Микро- и наноэлектроника - 2012" (ICMNE-2012), г. Звенигород, с 1 по 5 октября 2012 г, с.217

66. Hydro chemical deposition method nanofilms ZnS1-xSex, Международная конференция "Микро- и наноэлектроника - 2012" (ICMNE-2012), г. Звенигород, с 1 по 5 октября 2012 г, с.218

67. Физико-химическая модель эффектов памяти и переключения в тонкопленочных элементах CdSе1-xТex , V Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем–2012» МЭС-2012, 8–12 октября 2012 г. С.653-656

68. Кинетика роста и термическая стабильность наночастиц и пленок сульфоселенидов кадмия и цинка , «Ультрамелкозернистые и наноструктурные материалы – 2012» 8-12 октября 2012 г. Уфа

69. Peculiarities of obtaining of ZnCdS nanolayers by electochemical deposition for solar cells, The 24th Conference of the EPS Condensed Matter Division (CMD-24), 3 - 7 September 2012, Edinburgh,с.365.

70. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov, Electrochemical deposition p-CdS nanowires. SPIE Optics+Photonics NanoScience NanoEngineering Conference 8818 · Functional Nanostructured Thin Films

71. Джафаров М.А., Люминесцентные материалы на основе нанокристаллов ZnSe/ZnS и CdSe/ZnSe , V Всероссийская конференция по наноматериалам, Nano-2013, 23-27 сентября 2013 г. г. Звенигород

72. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov, Investigation of p-GaAs/n-Cd1-xZnxS1-yTey/ZnO Heterojunctions With Nano-Transparent ZnO Electrodes, The Twenty-first Annual International Conference on composites/nano engineering (ICCE-21) Tenerife, Spain July 21-27, 2013

73. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov. Photoelectric properties of thin film p-CdS/n-CdS/n-CdZnSSe heterojunctions. The 9th International Conference on “Technical and Physical Problems of Electrical Engineering” (ICTPE-2013)

74. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov Preparation and Investigation of Nano-Structured glass/ SnO2/TiO2/Cd1-xZnxS1-yTey/ CdTe/ graphite Thin Film Solar Cells", PVTC, Thin Films.Advanced Silicon Solution, France, 21-23 may

75. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov Nanosized ZnSe1-ХTeХ films for solar sells. 10th International Conference on Nanosciences Nanotechnologies (NN13) 9-12 July 2013, Thessaloniki, Greece

76. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov Thessaloniki, Greece, 11th International Conference on Nanosciences & Nanotechnologies–NN14, 2014,

77. M.A.Jafarov, E. F. Nasirov Properties of the thin-film solar cells with heterojunctions CuInGaSe2-Cd1-xZnxS, E-MRS-2014, Advanced materials and characterization techniques for solar cells. STRASBURQ.

78. Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Тонкие пленки Cu2ZnSnS4, полученные методом электроосаждения, "Ультрамелкозернистые и наноструктурные материалы - 2014", Уфа-2014, с.3

 

Публикации в изданиях Российской Академии Естествознания: 1 / перечень публикаций

Последняя редакция анкеты: 24 августа 2015, 14:25

Получить код для установки баннера на сайте, в блоге

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания”
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Современные проблемы науки и образования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.953

«Фундаментальные исследования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 1.094

«Современные наукоемкие технологии» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.725

«Успехи современного естествознания» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.869

«Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований», ИФ РИНЦ = 0.800

«Международный журнал экспериментального образования», ИФ РИНЦ = 0.469

«European journal of natural history», ИФ РИНЦ = 0.864

«Международный студенческий научный вестник», ИФ РИНЦ = 0.445

«Рациональное питание, пищевые добавки и биостимуляторы»

Издание научной и учебно-методической литературы, ISBN, РИНЦ, DOI