RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 15727 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Иванов Сергей Викторович


Иванов Сергей Викторович

Учёная степень: доктор физико-математических наук

Научное направление: Физико-математические науки

Регион: Санкт-Петербург

Индекс цитирования научной биографии: 2 (по количеству внешних ссылок)

Рейтинг: 48 (по количеству просмотров анкеты за последний месяц)

СЕРТИФИКАТ участника энциклопедии "Известные Ученые"

Образование: 1977 год — окончил школу №239 (10-4), учителя: математика – В.П. Иванов, физика – М.Г. Иванов; 1983 год — окончил Ленинградский Электротехнический Институт, факультет электронной техники, кафедра оптоэлектроники при ФТИ им. А.Ф. Иоффе; 1989 год — защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук по специальности 01.04.10 – физика полупроводников и диэлектриковпо, тема: "Исследование процессов роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии эпитаксиальных слоев (Al,Ga)As и гетероструктур низкопороговых инжекционных лазеров" 2000 год — защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук по специальности 01.04.10, тема: "Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений А2В6 (основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)". Основное место работы: главный научный сотрудник Центра физики наногетеротруктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, руководитель группы молекулярно-пучковой эпитаксии перспективных полупроводниковых гетероструктур. Область научных интересов: Исследование процессов роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии (эксперимент и теоретическое описание) и свойств низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур (квантовых ям, серхрешеток, квантовых точек ) на основе: узкозонных соединений А3В5 -(Al,Ga,In)(As,Sb) – для оптоэлектроники среднего ИК диапазона и сверхвысокочастотных транзисторов с двумерным электронным каналом; широкозонных полупроводниковых соединений А2В6, включая ZnO, для оптоэлектроники видимого (сине-зеленого) спектрального диапазона и фундаментальных исследований в области спин-электроники; гибридных А3В5/А2В6 структур с гетеровалентным интерфейсом для лазеров среднего ИК диапазона и спинтронных применений; А3-нитридов, включая InN, выращиваемых с использованием различных методов активации азота (плазменной активацией и разложением аммиака), для оптоэлектроники глубокого УФ диапазона и высокотемпературной мощной СВЧ-электроники. Редакционная работа: Член программных комитетов и комитетов советников 7 международных конференций и симпозиумов по основным развиваемым тематикам исследований.

Научные публикации:

S.V. Ivanov, P. Kop’ev, Type-II (AlGa)Sb/InAs Quantum well structures and superlattices for opto- and microelectronics grown by molecular beam epitaxy, Chapter 4, in "Antimonide-related strained-layer heterostructures", ed. by M.O.Manasreh, in Ser. "Optoelectronic properties of semiconductors and superlattices", vol. 3, (Gordon and Breach Science Publishers, 1997), pp. 95-170.

S.V.Ivanov, V.N.Jmerik, InN growth by plasma assisted molecular beam epitaxy, Chapter, Vac. Sci. and Techn., in: Nitrides as seen by the technology, ed. By T. Paskova and B. Monemar, Research Signpost (Kerala, 2002),pp. 369-400.

A.A.Toropov, O.G.Lyublinskaya, V.A.Solov’ev, and S.V.Ivanov, Sb-based nanostructures for mid-IR optoelectronics, in III-V Semiconductor Heterostructures: Physics and Devices, ed. by W. Z. Cai, Research Signpost (Keraia, 2003), pp. 169-199.

Zh.I. Alferov, A.M. Vasilev, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov, M.E. Lutsenko, B.Ya. Meltser, V.M. Ustinov, Reduction of the threshold current density in GaAs-(Al, Ga)As double heterostructure separate-confinement quantum well laser (Jth=52 Acm-2, 300K) by bounding the quantum well by a short-period variable-step superlattice, Sov. Tech. Phys. Lett. 14, 782-784 (1988);

S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev and N.N. Ledentsov, Thermodynamic analysis of segregation effects in MBE of AIII-BV compounds (Invited Paper), Proceedings of the Sixth International Conference on Molecular Beam Epitaxy, La Jolla, 1990, ed. by C.W. Tu and J.S. Harris, J. Crystal Growth 111, 151-161 (1991);

S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, I.V. Sedova, A.A. Sitnikova, P.S. Kop'ev, and Z.I. Alferov, A. Waag, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, G. Landwehr, CdSe-Fractional-Monolayer Active Region of Molecular Beam Epitaxy Grown Green ZnSe-Based Lasers, Appl. Phys. Lett. 74, 498 (1999);

Yu. Vasilyev, S. Suchalkin, K. von Klitzing, B. Meltser, S. Ivanov, P. Kop'ev, Evidence for Electron-Hole Hybridization in Cyclotron-Resonance Spectra of InAs/GaSb Heterostructures, Phys. Rev. B 60 (15), 10636 (1999);

N. Peranio, A. Rosenauer, D. Gerthsen, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, and S.V. Ivanov, Structural and Chemical Analysis of CdSe/ZnSe Nanostructures by Transmission Electron Microscopy, Phys. Rev. B 61 (23), 16015 (2000);

I.A. Buyanova, G.Yu. Rudko, W.M. Chen, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov, and P.S. Kop'ev, Control of spin functionality in ZnMnSe-based structures: Spin switching versus spin alignment, Appl. Phys. Lett. 82, 1700 (2003);

S.V. Ivanov, V.A. Kaygorodov, S.V. Sorokin, B.Ya. Meltser, V.A. Solov’ev, Ya.V. Terent’ev, O.G. Lyublinskaya, K.D. Moiseev, E.A. Grebenshchikova, M.P. Mikhailova, A.A. Toropov, Yu.P. Yakovlev, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, 2.78 mkm Laser Diode Based on Hybrid AlGaAsSb/InAs/CdMgSe Double Heterostructure Grown by MBE, Appl. Phys. Lett. 82, 3782 (2003);

Yu.B. Vasilyev, V.A. Solov’ev, B.Ya. Meltser, A.N. Semenov, S.V. Ivanov, P.S. Kop’ev, N. Ulbrich, G. Abstreiter, M.-C. Amann, S. Schmult, W. Wegscheider, Electrically tunable mid-infrared electroluminescence from graded cascade structures, Appl. Phys. Lett. 83, 3015 (2003);

S.V. Ivanov, CdSe-based quantum dot nanostructures: MBE growth, properties and applications, J. Alloys and Compounds 371 (1-2), 15-19 (2004);

S.K. Lohokare, O.V. Sulima, V.A. Solov’ev, S.V. Ivanov, and D.W. Prather, High-performance, 1.55 mkm AlGaAsSb/AlGaSb pin photodetectors, Electron. Lett. 40 (21), 1377-1378 (2004);

S. V. Ivanov, O. G. Lyublinskaya, Yu. B. Vasilyev, V. A. Kaygorodov, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, V. A. Solov’ev, B. Ya. Meltser, A. A. Sitnikova, T. V. L’vova, V. L. Berkovits, A. A. Toropov, and P. S. Kop’ev, Asymmetric AlAsSb/InAs/CdMgSe quantum wells grown by molecular-beam epitaxy, Appl. Phys. Lett. 84 (23), 4777-4779 (2004);

S. V. Ivanov, T. V. Shubina, V. N. Jmerik, V. A. Vekshin, P. S. Kop'ev, B. Monemar, Plasma-assisted MBE growth and characterization of InN on sapphire, J. Crystal Growth 269, 1-9 (2004);

T. V. Shubina, S. V. Ivanov, V. N. Jmerik, D. D. Solnyshkov, V. A. Vekshin, P. S. Kop'ev A. Vasson, J. Leymarie, A. Kavokin, H. Amano, K. Shimono A. Kasic and B. Monemar, Mie Resonances, Infrared Emission, and the Band Gap of InN, Phys. Rev. Lett. 92, 117407 (2004);

V. A. Solov'ev, O. G. Lyublinskaya, A. N. Semenov, B. Ya. Meltser, D. D. Solnyshkov, Ya. V. Terent'ev, L. A. Prokopova, A. A. Toropov, S. V. Ivanov, and P. S. Kop'ev, Room-temperature 3.9-4.3 mm photoluminescence from InSb submonolayers grown by molecular beam epitaxy in an InAs matrix, Appl. Phys. Lett. 86, 011109-11 (2005);

M.M. Zverev, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, D.V. Peregoudov, S.V. Ivanov, and P.S. Kop'ev, High-efficiency Electron-Beam Pumped Green Semiconductor Lasers Based on Multiple Quantum Disk Sheets, phys. stat. sol. (c) 2, 923 (2005).

 

Публикации в изданиях Российской Академии Естествознания: 16 / перечень публикаций

Последняя редакция анкеты: 21 мая 2010, 15:24

Получить код для установки баннера на сайте, в блоге

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания”
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Современные проблемы науки и образования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.953

«Фундаментальные исследования» список ВАК, ИФ РИНЦ = 1.094

«Современные наукоемкие технологии» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.725

«Успехи современного естествознания» список ВАК, ИФ РИНЦ = 0.869

«Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований», ИФ РИНЦ = 0.800

«Международный журнал экспериментального образования», ИФ РИНЦ = 0.469

«European journal of natural history», ИФ РИНЦ = 0.864

«Международный студенческий научный вестник», ИФ РИНЦ = 0.445

«Рациональное питание, пищевые добавки и биостимуляторы»

Издание научной и учебно-методической литературы, ISBN, РИНЦ, DOI