Мордюк Владимир Семенович (10.06.1934 г.р., Украина) – доктор технических наук, кандидат физико-математических наук, профессор.

После окончания средней школы в 1952 году поступил на физико-математический факультет Черновицкого университета, который закончил в 1957 году с дипломом по специальности «металлофизика». Два года с 1957 по 1959 проработал в средней школе на Украине. Летом 1959 года «по зову» своей специальности освободился из школы и был принят на работу инженером физической лаборатории Всесоюзного научно-исследовательского института (ВНИИИС) в г. Саранске, Мордовия.

Новая работа была прямым продолжением вузовской специальности, поэтому работал с увлечением. В 1965 году в связи с переездом начальника лаборатории доктора физико-математических наук, профессора Александрова Леонида Наумовича был назначен начальником этой лаборатории и осенью этого же года поступил на первый курс аспирантуры при Мордовском Госуниверситете к профессору Александрову Л.Н, бывшему административному руководителю. В конце первого года учебы в аспирантуре 13 июня 1966 года успешно защитил кандидатскую диссертацию в Ученом Совете Воронежского Политехнического Института, по решению которого в декабре 1966 года Высшей Аттестационной Комиссией ему была присвоена ученая степень кандидата физико-математических наук. В этом же году в связи развитием отраслевых научных задач материаловедческого направления лаборатория была преобразована в физический отдел, и Мордюк В.С. по конкурсу был избран заведующим этого отдела. Работа в отраслевом НИИ ему была интересна многообразием различных материаловедческих задач и направлений и еще тем, что специалист не в каком то отдаленном будущем, а сразу осознает ее научную и практическую полезность, ориентируется на использование результатов своих исследований практическими работниками подведомственных заводов. В процессе работы Мордюку В.С. пришлось повышать научный уровень, доучиваясь и в виде самообразования и в виде обмена опытом с различными научными лабораториями отраслевых и академических лабораторий, в том числе и зарубежных. В частности, тесно сотрудничал со специалистами фирмы «Тунгсрам» и лабораторий Института Технической физики Академии Наук Венгрии при выезде в научную командировку в Венгрию в 1960 году, со специалистами Японской фирмы «Того Киндзку» при внедрении их лицензии на производство вольфрама повышенного качества для источников света в СССР, с некоторыми фирмами Европы по результатом обмены научной информацией.

За 50-летнюю научную деятельность освоены и использовались в научных и прикладных работ института и отрасли следующие методы исследований: рентгенографии, внутреннего трения, электронно-эмиссионного проектора, оптической, электронной и автоионной микроскопии, масс-спектрометрии, электронного парамагнитного анализа, метода выращивания и исследования монокристаллов применительно к совершенствованию структуры и эксплуатационных свойств основных материалов светотехники и электроники – тугоплавких металлов, люминофоров спеченной керамики и др. В последние десятилетия использовал электронное, в том числе компьютерное моделирование физических процессов в материалах, создано до десятка компьютерных моделей в области динамики движения локаций и образования трещин в твердых телах, моделей по испарению тугоплавких металлов, модели угнетения люминесценции напряжениями от дислокаций, использующихся как в научных целях, так и в образовательном процессе.

Участвовал в работе более чем в 70 отечественных и международных научных конференций академического и отраслевого уровня, в том числе и конференций по линии РАЕ. Опубликовано более чем 350 научных работ в различных (в том числе и международных) журналах и трудах конференций, в том числе три книги (по тугоплавким металлам, люминофорам и основам материаловедения (1965, 1986 и 2001 гг.). Источники света широко используются в специальной технике, в связи с циклом работ этого направления совместно с сотрудниками отдела и учениками издано 3 тома межведомственных справочников (1980, 1986 и 1990 гг.) по исследованию влияния факторов космического пространства и наземных ядерных установок на показатели их качества и стабильности в эксплуатации.

По результатам научной деятельности в 1996 году успешно защитил докторскую диссертацию по физическим моделям работы материалов в источниках света в Московском Энергетическом Институте по двум специальностям (физика полупроводников и диэлектриков, светотехника). На протяжении всей научной деятельности Мордюк В.С. постоянно участвовал в воспитании молодого поколения. Практически с начала научной деятельности сотрудничал с Мордовским Госуниверситетом, по результатам которого в 1968 году ему присвоено ученое звание доцента, а в 2002 году – ученое звание профессора. Старается прививать молодым сотрудникам и студентам стремление к научной деятельности.

Под его руководством защитили кандидатские диссертации 6 сотрудников, в настоящее время руковожу научной работой трех аспирантов и одного докторанта. С 2000 по 2005 год 11 студентов различных факультетов университета получили награды Всероссийского Конкурса лучших научных работ студентов, в том числе 1 – медаль Конкурса. В последние годы ряд студентов под руководством Мордюка В.С. участвовали с докладами в работе 4-х Международных конференций типа «Студент и научно-технический прогресс», в том числе в 2006, 2007 и 2008 гг. в Новосибирске и в 2007 году в Кемерово. За все время научной деятельности имеет 16 изобретений и патентов.

Награды, звания: Медаль «За доблестный труд» (1970 г.); Бронзовая медаль «Изобретатель СССР» (1983 г.); Медаль «Ветеран труда» (1985 г.); Active Member of this «New Jork Academy of Sсiences» (1997 г.); Диплом Минобразования РФ за научное руководство работой, удостоенной медали открытого Всероссийского конкурса научных работ студентов (2000 г.); Занесен в энциклопедическую книгу «Ученые России», т. 2. (2006 г.); Почетное звание «Заслуженный деятель науки и образования» Российской Академии Естествознания (2007).

Подавляющее число научных разработок нашли практическое использование в работе заводов электроламповой и некоторых смежных отраслей промышленности. Даже метод автоионной микроскопии, разработанный 4-м в бывшем СССР, нашел практическое внедрение при выполнении Правительственного задания по разработке ксеноновых ламп сверхвысокого давления для нужд кинофикации, прожекторостроения и специальной техники.