Воробьев Леонид Евгеньевич
  1. Ученая степень
    доктор физико-математических наук
  2. Ученое звание
    профессор
  3. Научное направление
    Физико-математические науки
  4. Регион
    Россия / Санкт-Петербург

Профессор, доктор физ.-мат. наук, Лауреат Государственной премии СССР (1987), заслуженный деятель науки РФ (1999), почетный работник высшего профессионального образования (2003), действ. член Академии естественных наук РФ, действ. член Российской академии инженерных наук им. А.М.Прохорова, член Европейской академии наук и искусств. Образование: 1956 год — окончил школу с золотой медалью; 1962 год — с отличием окончил Ленинградский политехнический институт, получив специальность инженер-физик; 1967 год — защитил кандидатскую диссертацию после обучения в аспирантуре ЛПИ на кафедре "Физика полупроводников"; 1975 год — защитил кандидатскую диссертацию; Ученое звание - профессор (присуждено в 1979 году). Основное место работы: профессор кафедры физики полупроводников и наноэлектроники С.-Петербургского политехнического университета. Область научных интересов: Оптические явления и неравновесные носители заряда в полупроводниках и наноструктурах, физика полупроводниковых лазеров, оптоэлектроника, наноэлектроника, исследования в указанных областях, финансируемые российскими и международными грантами. Текущая научная работа: Исследование оптических явлений в наногетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками, взаимодействие терагерцового излучения с примесными центрами в микро- и наноструктурах.

Научные публикации

Воробьев Л.Е., Ивченко Е.Л., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А. "Оптические свойства наноструктур" . "Наука" , С.-Петербург, 2001. Учеб. пособие под редакцией Е.Л.Ивченко и Л.Е.Воробьева, 188 с.

A.Kastalsky, L.E.Vorobjev, D.A.Firsov, V.L.Zerova, E.Towe, "A dual-color injection laser based on intra- and inter-band carrier transitions in semiconductor quantum wells or quantum dots" , IEEE Journal of Quantum Electronics, v. 37, No. 10, pp.1356-1362 (2001).

S.D.Ganichev, H.Ketterl, W.Prettl, E.L.Ivchenko, L.E.Vorobjev, "Circular photogalvanic effect induced by monopolar spin orientation in p-GaAs/AlGaAs multiple-quantum wells" , Appl. Phys. Lett., v.77, pp. 3146-3148 (2000).

Л.Е.Воробьев, Д.В.Донецкий, Д.А.Фирсов, "Увлечение фотонов током дырок в германии" , "Наука" , Письма в ЖЭТФ т. 71, в. 8, 25 апреля, с. 477-480 (2000).

S.Hanna, A.Seilmeier, V.A.Shalygin, D.A.Firsov, L.E.Vorobjev, V.M.Ustinov, A.E.Zhukov, "Dynamics and collective properties of non-equilibrium carriers in highly photoexcited quantum wells" , Semiconductor Science and Technology, v.19, pp.S290-S292 (2004).

Воробьев Л.Е., Данилов С.Н., Ивченко Е.Л., Левинштейн М.Е., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., "Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах" , "Наука" , С.-Петербург, 2000. Учеб. пособие под редакцией Л.Е.Воробьева.

Л.Е.Воробьев, С.Н.Данилов, Г.Г.Зегря, Д.А.Фирсов, В.А.Шалыгин, И.Н.Яссиевич, Е.В.Берегулин, "Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантованных структурах" , "Наука" , С.-Петербург, 2001. Учеб. пособие под редакцией Л.Е.Воробьева.

Л.Е.Воробьев, Д.А.Фирсов, В.А.Шалыгин, В.Н.Тулупенко, Н.Н.Леденцов, П.С.Копьев, В.М.Устинов, Ю.М.Шерняков, Ж.И.Алферов, "Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами" , Успехи физических наук, т. 169, № 4, с.459-464, 1999.

Л.Е.Воробьев Д.В.Донецкий, Фирсов Д.А., "Электрооптический эффект на горячих дырках" , "Наука", Письма в ЖЭТФ, 1994, т.59, в.12, с.832-836.

E.Towe, L.E.Vorobjev, S.N.Danilov, Yu.V.Kochegarov, D.A. Firsov, D.V.Donetsky, "Hot electron far-infrared intrasubband absorption and emission in quantum wells" , APL 75(19), pp.2930-2932 (1999).


Последняя редакция анкеты: 21 мая 2010