Дубровский Владимир Германович

Доктор физ.-мат. наук, Владимир Германович Дубровский родился 15.10.1965 в Ленинграде, СССР. Образование: 1988 год — окончил Ленинградский Государственный Университет, физический факультет; 1990 год — защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук по специальности 01.04.01 – физика приборов, техника физического эксперимента, автоматизация физических исследований, тема: "Кинетические модели роста кластеров и тонких пленок"; 1991-1992 годы — занимает позицию Post-doctoral в отделении инженерных наук Университета Оксфорда; 2002 год — защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук по специальности 01.04.07 – физика конденсированного состояния, тема: "Кинетические модели формирования пространственно – упорядоченных структур на поверхности твердого тела". Основное место работы: ведущий научный сотрудник СПбФТНОЦ РАН. Область научных интересов: Кинетическая теория формирования наноструктур при молекулярно – пучковой эпитаксии (МПЭ), в частности квантовых точек в системах InAs/GaAs и Ge/Si; Кинетическая теория роста тонких пленок на поверхности твердого тела; Теория роста кристаллов, в частности теоретические модели формирования нанометровых нитевидных кристаллов (нановискеров) GaAs и Si по механизму "пар – жидкость – кристалл" ; Теория фазовых переходов первого рода, нуклеация, конденсация; Теория неравновесных процессов в нелинейных системах, в частности кинетические модели формирования пространственно – упорядоченных структур на поверхности твердых тел; Теория процессов адсорбции – десорбции, динамика неидеальных адсорбционных слоев; Физико–химическая кинетика; Техническая гидро- и аэродинамика, теория лопаточных машин; Технологии выращивания соединений A3B5 методом МПЭ.

Научные публикации

Список научных трудов насчитывает более 150 наименований. Наиболее значимых из них:

V.G.Dubrovskii, G.E.Cirlin and V.M.Ustinov. "Kinetics of the initial stage of coherent island formation in heteroepitaxial systems". Phys.Rev.B, 2003, v.68, p. 075409.

V.G.Dubrovskii, G.E.Cirlin, Yu.G.Musikhin, Yu.B.Samsonenko, A.A.Tonkikh, N.K.Polyakov, V.A.Egorov, A.F.Tsatsul’nikov, N.A.Krizhanovskaya, V.M.Ustinov and P. Werner. "The effect of growth kinetics on the structural and optical properties of quantum dot ensembles" . J.Cryst.Growth, 2004, v. 267, №1-2, p. 47-59.

V.G.Dubrovskii. " Kinetically controlled engineering of quantum dot arrays " . phys. stat. sol (b), 2003, v. 238, № 2, p.R1.

В.Г.Дубровский, Ю.Г.Мусихин, Г.Э.Цырлин, В.А.Егоров, Н.К.Поляков, Ю.Б.Самсоненко, А.А.Тонких, Н.В.Крыжановская, Н.А.Берт, В.М.Устинов. " Зависимость структурных и оптических свойств ансамблей квантовых точек в системе InAs/GaAs от температуры поверхности и скорости роста " . ФТП, 2004, т.38, вып.3, с.342.

V.G.Dubrovskii, D.A.Bauman, V.V.Kozachek, V.V.Mareev, G.E.Cirlin. " Kinetic models of self-organization effects in lattice systems " . Physica A, 1998, v.260, №3-4, p.349.

V.G.Dubrovskii. " Diffusion-induced islanding in heteroepitaxial systems " . Physica A, 2002, v.307, №1-4, p.228-245.

G.E.Cirlin, V.N.Petrov, A.O.Golubok, S.Ya.Tipissev, V.G.Dubrovskii, G.M.Guryanov, N.N.Ledentsov, D.Bimberg. " Effect of growth kinetics influence on the InAs/GaAs quantum dot arrays formation on vicinal surfaces " . Surf.Sci., 1997, v.377-379, p.895.

G.E.Cirlin, V.G.Dubrovskii, V.N.Petrov, N.K.Polyakov, N.P.Korneeva, V.N.Demidov, A.O.Golubok, S.A.Masalov, D.V.Kurochkin, O.M.Gorbenko, N.I.Komyak, V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.R.Kovsh, M.V.Maximov, A.F.Tsatusul'nikov, B.V.Volovik, A.E.Zhukov, P.S.Kop'ev, Zh.I.Alferov, N.N.Ledentsov, M.Grundmann, D.Bimberg. " Formation of InAs quantum dots on a silicon (100) surface " , Semicond.Sci.Technol., v.13, 1998, p.1262.

V.G.Dubrovskii. " Nucleation and growth of adsorbed layer: self-consistent approach based on Kolmogoroff-Avrami model " . phys.stat.sol.(b), 1992, v.171, p.345.

В.Г.Дубровский, Г.Э.Цырлин. " Динамика роста однокомпонентной кристаллической тонкой пленки " . ЖТФ, 1997, т.67, вып.11, с.136-138.

В.Г.Дубровский. " Об одном точном решении управляющих уравнений модели обратимого роста ". ТМФ, 1996, т.108, с.327-336.

V.G.Dubrovskii, I.P.Soshnikov, G.E.Cirlin, A.A.Tonkikh, Yu.B.Samsonenko, N.V.Sibirev and V.M.Ustinov " On the non-monotonic lateral size dependence of the height of GaAs nanowhiskers grown by molecular beam epitaxy at high temperature " . phys.stat.sol.(b), 2004, v.241, №7, p.R30-R33.

В.Г.Дубровский, Н.В.Сибирев, Г.Э.Цырлин. " Кинетическая модель роста нанометровых нитевидных кристаллов по механизму " пар – жидкость - кристалл " . Письма в ЖТФ, 2004, т.30, вып.16, с.41-50.

---