Жуков Алексей Евгеньевич

Образование: 1992 год — с отличием окончил Ленинградский Электротехнический Институт (ЛЭТИ), (в настоящее время Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет), факультет Электронной техники, кафедра Оптоэлектроники; 1996 год — защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидат физ.-мат. наук по теме: “Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In,Ga,Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств” в ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН; 2002 год — защитил диссертацию на соискание ученой степени доктор физ.-мат. наук по теме: “Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек“ в ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН. Основное место работы: Ведущий научный сотрудник СПб ФТНОЦ РАН. Область научных интересов: Молекулярно-пучковая эпитаксия, гетероструктуры, низкоразмерные структуры, самоорганизующиеся квантовые точки, лазерные диоды, материалы AlGaInAsP. Текущая научная работа: Гетероструктуры с самоорганизующимися квантовыми точками, в том числе метаморфные гетероструктуры, для светоизлучающих приборов. Модулировано-легированные гетероструктуры для приборов СВЧ-электроники.

Научные публикации

V.M.Ustinov, A.E.Zhukov, A.Yu.Egorov, N.A.Maleev, Quantum dot lasers, Oxford University Press, 2003, Oxford Science Publications, Series on semiconductor science and technology, v. 11.

A.E.Zhukov, V.M.Ustinov, and Zh.I.Alferov, Device characteristics of low-threshold quantum-dot lasers, Selected Topics in Electronics and Systems vol.16, Advances in semiconductor lasers and applications to optoelectronics (eds. M.Dutta and M.A.Stroscio, World Scientific, Singapore, 2000), pp. 263-292.

V.M.Ustinov and A.E.Zhukov, GaAs-based long-wavelength lasers, Semicond. Sci. Technol. 15(8), R41-R54 (2000).

Патент РФ на изобретение “Способ изготовления светоизлучающей структуры на квантовых точках и светоизлучающая структура”, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, Н.А. Малеев, А.Р. Ковш, N 2205468 от 09.07.2002.

---