RAE.RU
Энциклопедия
ИЗВЕСТНЫЕ УЧЕНЫЕ
FAMOUS SCIENTISTS
Биографические данные и фото 16420 выдающихся ученых и специалистов
Логин   Пароль  
Регистрация Забыли пароль?
 

Дергачева Маргарита Борисовна
Доктор химических наук, профессор

Научная школа: « Термодинамика и электрохимия амальгам щелочных металлов и тонкопленочных полупроводников»

Дергачева Маргарита Борисовна . Доктор химических наук, профессор. Главный научный сотрудник Института топлива, катализа и электрохимии им. Д.В. Сокольского(г. Алматы). Окончила химический факультет Казахского Государственного университета в 1962 году, по специальности химия. С 1962 года работает в системе Академии наук и Министерства образования и науки Республики Казахстан (РК) в должности старшего лаборанта, младшего научного сотрудника, старшего научного сотрудника, заведующей лаборатории. Диссертацию на степень доктора химических наук по специальности «физическая химия» на тему «Термодинамика систем, образованных щелочными металлами, ртутью и металлами II -VI групп периодической системы элементов Д.И.Менделеева»,защитила в 1989 г в специализированном совете Института проблем материаловедения АН Украины (г.Киев).

Перечень кандидатских диссертаций по специальности электрохимия и физическая химия, защищенных под руководством М.Б.Дергачевой.:

1. Алмазова Н.Г. Электрохимическое исследование термодинамических свойств жидких амальгам калия, рубидия и цезия. Алма-Ата, 1975 (ВАК СССР).

2. Хобдабергенова Г.Р. Исследование термодинамических свойств жидких сплавов на основе щелочных металлов, индия, таллия и ртути. Алма-Ата, 1984 (ВАК СССР).

3. Панова Н.Л. Термодинамика тройных амальгамных расплавов, разбавленных по натрию. Алма-Ата,1990 (ВАК СССР)

4. Шатрова Е.Г. Термодинамика жидких сплавов рубидия. Алматы,1993 (ВАК РК)

5. Абдрахимова А.Р. Электрохимические процессы при осаждении полупроводниковой композиции CdxHg1-xTe. Алматы, 2000г. (ВАК РК)

6. Фогель Л.А. Электрохимические реакции с участием ионов теллура(IV) и их роль в процессах электроосаждения полупроводниковых соединений. Алматы.2002. (ВАК РК)

7. Пенькова Н.В. Электроосаждение пленок теллуридов кадмия на стеклоуглеродном, титановом и CdS электродах. Алматы. 2005.(ВАК РК)

8. Чайкин В.В. Электрохимический метод получения тонких пленок соединения CuInSe2. Алматы.2006 (ВАК РК).

9. Уразов К.А. Органические и неорганические материалы для тонкопленочных фотоэлементов Диссертация на соискание степени доктора философии (PhD) по специальности технология органических веществ. Алматы, Казахстанско-Британский технический университет. 2018

Всего опубликовано 352 научные статьи и тезисы Международных конференций. Опубликованы 2 монографии:

Козин Л.Ф., Нигметова Р.Ш., Дергачева М.Б. «Термодинамика бинарных мальгамных систем». Алматы, «Наука,Каз.ССР», 1977г. 343 с. русск.

Дергачева М.Б., Жанабаева А.К., Пузикова Д.С., Уразов К.А. «Селенид кадмия для фотоэлектрохимического преобразователя» ISBN 978-601-06-4446-5. Алматы, 2017, 153с.каз.,русск..13 DOI. 10.17513/np.319

Значимые статьи за последние 5 лет

1.Dergacheva M.B., Urazov К.А. New method of pulsed electrodeposition of nanostructure of ZnS films // Coatings. 2016. 6 (2), 14; Open Access. IF 2,175 doi:10.3390/coatings6020014

2. Dergacheva M.B., Urazov K.A. Preparation of CuInXGa1-XSe2 thin film semiconductors by one-step electrodeposition. J.Electrochimica Acta. 2013. V.107. P. 120-125. ISSN: 0013-4686

IF= 4,085 http://authors.elsevier.com/sd/article/S0013468613010864

3. М.Б.Дергачева , Н.Н.Гуделева , К.А.Уразов. Новые преобразователи солнечной энергии в электрическую// Журнал «Нефть и газ» 2016, №3(93), С.97-112 http://neft-gas.kz

4. М. Б. Дергачева, К. А. Уразов, А. Е. Нуртазина. Электроосаждение тонких пленок Cu2ZnSnS4.//Журнал «Электрохимия», Москва, 2017, том 53, № 3, С. 1–9 DOI: 10.7868/S0424857017030033

5. М.V.Malashchonak, E.A.Streltsov, M.B.Dergacheva, K.A.Urazov. Evaluation of electroactive surface area of CdSe nanoparticles on wide bandgap oxides (TiO2, ZnO) by cadmium underpotential deposition. «Electrochemistry Communications» 2016. №72.З.176-180 Имп.ф.4,569 http://ees.elsevier.com/elecom/

Публичная деятельность: Эксперт ВАК РК (1993-1998гг), эксперт МОН РК (1999-2018гг).

Активный член Международного Электрохимического Общества, ISE,Швейцария (1999-по настоящее время), Изобретатель СССР. Получено 14 авторских свидетельств СССР и 21 патент Республики Казахстан. Участник Международных конференций и ежегодных конференций ISE в различных странах (Россия, Белоруссия, Чехия. Италия, Англия, Испания, Малайзия, Китай ,Швейцария. Руководитель дипломных и магистерских работ студентов и магистрантов Каз.национального университета и Казахстанско-Британского технического университета. Получила гранты по прикладным исследованиям:

1 Грант Государственной программы “Развитие космической деятельности в Республике Казахстан на 2005-2007 годы «Тонкопленочные фотоэлементы для Казахстанских космических аппаратов».

2 Грант Национального Инновационного фонда РК «Создание опытного образца солнечной батареи с использованием тонкопленочных структур» 2006-2007 годы

3 Грант МОН РК по рисковым проектам на 2008г «Тонкопленочный солнечный элемент»

4 Грант МНТЦ (Международного Научно-Технического Центра, коллабораторы из США и Великобритании) «Развитие и исследование электроосаждения полупроводниковых тонких пленок для производства высокоэффективных солнечных элементов». 2007-2010гг. По этим грантам была разработана техническая документация и изготовлены образцы каскадных тонкопленочных фотоэлементов и модулей солнечных преобразователей.

Возглавляла направление исследований и являлась руководителем тем по программам фундаментальных исследований МОН РК «Создание новых электродных материалов, сенсоров, фотопреобразователей» (1994-1996гг); «Теория электрохимического осаждения, как основа для создания новой технологии получения гетероструктурных полупроводниковых композиций и электродных материалов» (1997-1999гг); «Электрохимический метод создания пленочных композиций для использования в каскадных системах преобразования солнечного излучения» (2000-2002гг)», «Создание базового фотопреобразователя для автономного источника электропитания»(2001-2003гг)», «Разработка теоретических основ современных электрохимических методов получения тонкопленочных полупроводниковых соединений»(2003-2005гг): «Разработка теоретических основ электрохимических процессов для создания нанотехнологий производства тонкопленочных полупроводников» (2006-2008гг)

По результатам научных исследований , выполненных в 1962-1989гг были разработаны физико-химические основы производства сплавов с требуемым комплексом свойств в системах, содержащих ртуть, щелочные металлы и металлы II-VI групп. Эти исследования завершены внедрением установки для получения особочистой амальгамы натрия, которая была встроена в схему производства натриевых ламп высокого давления, запущенной по лицензии General Electric (USA)на Полтавском заводе газоразрядных ламп (1975-1985гг).

Фундаментальные научные исследования продолжаются по грантам МОН РК и сосредоточены на теоретическом обосновании возможности получения многокомпонентных полупроводников с использованием возможностей технической электрохимии с целью максимального удешевления процесса и уменьшения материалоемкости, а также применения пленочных полупроводников в фотоэнергетике.

1. Фотостимулирование электродных процессов для производства новых материалов (2012-2014гг)

2. Производство Cu2ZnSnS4 абсорберов для тонкопленочных фотоэлементов с использованием электроосажденных пленок (2013-2015)

3. Новый перспективный полупроводниковый материал для тонкопленочных фотоэлементов.(2015-2017)

4. Фотоэлектрохимические элементы с CdSe электродами для возобновляемой энергетики».(2015-2017)

5. Повышение энергоэффективности фотоэлектрохимических солнечных элементов за счет применения новых полупроводниковых материалов.(2018-2020)

Исследования, выполненные в лаборатории электрохимии металлов и полупроводников ИОКЭ МОН РК под руководством М.Б.Дергачевой, начиная с 1994г, по использованию теории электроосаждения для получения пленок двойных и тройных полупроводниковых соединений, позволяют прогнозировать условия для получения большого количества соединений, содержащих халькогениды металлов. Метод электроосаждения пленок на твердых подложках позволяет получать каскадные структуры, в состав которых входят двойные и тройные полупроводниковые соединения, обладающие фоточувствительностью. Основной задачей исследований является определение оптимальных условий электрохимического получения пленочных слоев соединений CdTe, HgTe, CdS, CdSe, CuSex, InxSey, CuInGaSe2, Cu2ZnSn(S,Se)4,CuBi2O4 и CdxHg1-xTe и доказательство их структурных и полупроводниковых свойств.

Предложена технология получения тонких пленок селена, теллура, сульфидов и селенидов кадмия с использованием процессов фотостимулированного переноса заряда. Разработан метод получения коллоидных растворов CdS на границе раздела полупроводник/электролит. Эти процессы позволяют решить ряд фундаментальных и прикладных задач современной электрохимии и физики поверхности полупроводников. Исследованы закономерности строения межфазной границы раздела и кинетики электрохимических реакций, стимулированных освещением.

В качестве основных методов получения новых композиционных электродных систем используется электрохимический и химический синтез, сочетающие в себе высокую технологичность, экономичность, возможность формирования фоточувствительных наноструктур на подложках различной геометрической конфигурации, а также возможность варьирования размеров наночастиц. Это открывает дополнительные перспективы регулирования энергетического строения полупроводников и определяет квантовую эффективность фотоэлектрохимических процессов и электрокаталитическую активность анодов при фотоэлектролизе воды. Особое внимание уделено стабильности, эффективности и экономичности (низкой стоимости) фотовольтаических и фотоэлектролизных систем.